SIM7800模塊供電參考設計。
在用戶的設計中，必須特別注意電源部分的設計，確保即使在模塊耗電流達到2A時，VBAT的跌落也 不要低於3.3V。如果電壓跌落低於3.3V， 模塊射頻性能將會受到影響。 注意：當電源能夠提供2A的峯值電流時，外部供電電容總容值，建議不小於300uF；若不能提供2A的峯值 電流，則建議外部電容總容值不小於1000uF，以保證任何時候VBAT引腳上電壓跌落不超過300mV。 建議靠近VBAT放置2個0.1/1µF陶瓷電容。以改善射頻性能及系統穩定性。與此同時，建議PCB上供電 電源到模塊間的VBAT走線寬度至少2mm。參考設計推薦如下：
如果VBAT輸入含有高頻干擾，建議增加磁珠進行濾波，磁珠推薦型號爲BLM21PG300SN1D和 MPZ2012S221A。 此外，爲防止浪涌及過壓對SIM7800的損壞，建議在模塊VBAT引腳上並聯一個TVS管。
推薦的 TVS 管列表
注意：客戶自行選擇TVS時，需要關注浪涌防護時的鉗位電壓，100V浪涌輸入時鉗位電壓不要高於10V。