SRAM ：靜態RAM，不用刷新，速度可以非常快，像CPU內部的cache，都是靜態RAM，缺點是一個內存單元需要的晶體管數量多，因而價格昂貴，容量不大。
什麼是SRAM
SRAM 的英文全稱是'Static RAM'，翻譯成中文就是'靜態隨機存儲器'。SRAM主要用於製造Cache。SRAM，靜態的隨機存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數據不會丟失，而且，一般不是行列地址複用的。
SRAM是Static Random Access Memory的縮寫，中文含義爲靜態隨機訪問存儲器，它是一種類型的半導體存儲器。“靜態”是指只要不掉電，存儲在SRAM中的數據就不會丟失。這一點與動態RAM（DRAM）不同，DRAM需要進行週期性的刷新操作。 然後，我們不應將SRAM與只讀存儲器（ROM）和Flash Memory相混淆，因爲SRAM是一種易失性存儲器，它只有在電源保持連續供應的情況下才能夠保持數據。“隨機訪問”是指存儲器的內容可以以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個位置。
SRAM中的每一位均存儲在四個晶體管當中，這四個晶體管組成了兩個交叉耦合反向器。這個存儲單元具有兩個穩定狀態，通常表示爲0和1。另外還需要兩個訪問晶體管用於控制讀或寫操作過程中存儲單元的訪問。因此，一個存儲位通常需要六個MOSFET。對稱的電路結構使得SRAM的訪問速度要快於DRAM。SRAM比DRAM訪問速度快的另外一個原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址複用的結構。
SRAM不應該與SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM（Synchronous DRAM），這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應該與PSRAM相混淆，PSRAM是一種僞裝成SRAM的DRAM。
從晶體管的類型分，SRAM可以分爲雙極性與CMOS兩種。從功能上分，SRAM可以分爲異步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。異步SRAM的訪問獨立於時鐘，數據輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪問都在時鐘的上升/下降沿啓動。地址、數據輸入和其它控制信號均於時鍾信號相關。
SDRAM：同步動態RAM，需要刷新，速度較快，容量大。
SDRAM 的英文全稱是'Synchronous DRAM'，翻譯成中文就是'擴充數據輸出內存'，它比一般DRAM和EDO RAM速度都快，它已經逐漸成爲PC機的標準內存配置。
SDRAM，同步的DRAM，即數據的讀寫需要時鐘來同步。
DRAM和SDRAM由於實現工藝問題，容量較SRAM大。但是讀寫速度不如SRAM，但是現在，SDRAM的速度也已經很快了，時鐘好像已經有150兆的了。那麼就是讀寫週期小於10ns了。SDRAM雖然工作頻率高，但是實際吞吐率要打折扣。以PC133爲例，它的時鐘週期是7.5ns，當CAS latency=2 時，它需要12個週期完成8個突發讀操作，10個週期完成8個突發寫操作。不過，如果以交替方式訪問Bank，SDRAM可以在每個週期完成一個讀寫操作（當然除去刷新操作）。其實現在的主流高速存儲器是SSRAM（同步SRAM）和SDRAM（同步DRAM）。目前可以方便買到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz；可以方便買到的SDRAM最大容量是128Mb/片，最大工作速度是133MHz
DRAM：動態RAM，需要刷新，容量大。
DRAM 的英文全稱是'Dynamic RAM'，翻譯成中文就是'動態隨機存儲器'。DRAM用於通常的數據存取。我們常說內存有多大，主要是指DRAM的容量。
DRAM，動態隨機存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數據。 而且是行列地址複用的，許多都有頁模式。
主要是存儲單元結構不同導致了容量的不同。一個DRAM存儲單元大約需要一個晶體管和一個電容（不包括行讀出放大器等），而一個SRAM存儲單元大約需要六個晶體管。DRAM和SDRAM由於實現工藝問題，容量較SRAM大，但是讀寫速度不如SRAM。
一個是靜態的，一個是動態的，靜態的是用的雙穩態觸發器來保存信息，而動態的是用電子，要不時的刷新來保持。
內存（即隨機存貯器RAM）可分爲靜態隨機存儲器SRAM，和動態隨機存儲器DRAM兩種。我們經常說的“內存”是指DRAM。而SRAM大家卻接觸的很少
ROM:只讀存儲器（Read-Only Memory，ROM）以非破壞性讀出方式工作，只能讀出無法寫入信息。信息一旦寫入後就固定下來，即使切斷電源，信息也不會丟失，所以又稱爲固定存儲器。ROM所存數據通常是裝入整機前寫入的，整機工作過程中只能讀出，不像隨機存儲器能快速方便地改寫存儲內容。ROM所存數據穩定 ，斷電後所存數據也不會改變，並且結構較簡單，使用方便，因而常用於存儲各種固定程序和數據。
EPROM的含義：EPROM是一組浮bai柵晶體管，被一個提供比電子電路中常du用電壓更高電壓的電子器件分別編程。一旦編程完成後，EPROM只能用強紫外線照射來擦除。
通過封裝頂部能看見硅片的透明窗口，很容易識別EPROM，這個窗口同時用來進行紫外線擦除。可以將EPROM的玻璃窗對準陽光直射一段時間就可以擦除。
EPROM的特點：EPROM的編程需要使用編程器完成。編程器是用於產生EPROM編程所需要的高壓脈衝信號的裝置。編程時將EPROM的數據送到隨機存儲器中，然後啓動編程程序，編程器便將數據逐行地寫入EPROM中。
一片編程後的EPROM，可以保持其數據大約10～20年，並能無限次讀取。擦除窗口必須保持覆蓋，以防偶然被陽光擦除。老式電腦的BIOS芯片，一般都是EPROM，擦除窗口往往被印有BIOS發行商名稱、版本和版權聲明的標籤所覆蓋。EPROM已經被EEPROM取代（電擦除只讀寄存器）。
EPROM的基本原理：EEPROM的寫入過程，是利用了隧道效應，即能量小於能量勢壘的電子能夠穿越勢壘到達另一邊。量子力學認爲物理尺寸與電子自由程相當時，電子將呈現波動性，這裏就是表明物體要足夠的小。
EEPROM的含義：EEPROM是指帶電可擦可編程只讀存儲器。是一種掉電後數據不丟失的存儲芯片。 EEPROM 可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。
EEPROM的特點：EEPROM一般用於即插即用（Plug & Play）；常用在接口卡中，用來存放硬件設置數據；也常用在防止軟件非法拷貝的“硬件鎖”上面。
EEPROM的基本原理：由於EPROM操作的不便，後來出的主板上BIOS ROM芯片大部分都採用EEPROM。EEPROM的擦除不需要藉助於其它設備，它是以電子信號來修改其內容的，而且是以Byte爲最小修改單位，不必將資料全部洗掉才能寫入，徹底擺脫了EPROM Eraser和編程器的束縛。
藉助於EEPROM芯片的雙電壓特性，可以使BIOS具有良好的防毒功能，在升級時，把跳線開關打至“on”的位置，即給芯片加上相應的編程電壓，就可以方便地升級。
EEPROM寫入過程，根據隧道效應，包圍浮柵的SiO2，必須極薄以降低勢壘。源漏極接地，處於導通狀態。在控制柵上施加高於閾值電壓的高壓，以減少電場作用，吸引電子穿越。