本系列文章彙總：
本篇文章主要介紹如何使用STM32中的片內FLash。
1. 準備工作
硬件準備
- 開發板
首先需要準備一個開發板，這裏我準備的是STM32L4的開發板（BearPi）：
軟件準備
- 需要安裝好Keil - MDK及芯片對應的包，以便編譯和下載生成的代碼；
2.生成MDK工程
如果使用的是STM32F1系列，請先看這篇文章！！！（STM32CubeMX生成F1的工程中造成 下載器無法下載 問題的解決方案）
選擇芯片型號
打開STM32CubeMX，打開MCU選擇器：
搜索並選中芯片STM32L431RCT6:
配置時鐘源
- 如果選擇使用外部高速時鐘（HSE），則需要在System Core中配置RCC；
- 如果使用默認內部時鐘（HSI），這一步可以略過；
這裏我都使用外部時鐘：
配置串口
小熊派開發闆闆載ST-Link並且虛擬了一個串口，原理圖如下：
這裏我將開關撥到AT-MCU模式，使PC的串口與USART1之間連接。
接下來開始配置USART1：
配置時鐘樹
STM32L4的最高主頻到80M，所以配置PLL，最後使HCLK = 80Mhz即可：
生成工程設置
[外鏈圖片轉存失敗,源站可能有防盜鏈機制,建議將圖片保存下來直接上傳(img-uC8VFP4r-1591787333797)(http://mculover666.cn/blog/20200610/zENXSh7HqWOq.png?imageslim)]
代碼生成設置
最後設置生成獨立的初始化文件：
生成代碼
點擊GENERATE CODE即可生成MDK-V5工程：
3. 在MDK中編寫、編譯、下載用戶代碼
重定向printf
STM32內部Flash及HAL庫API
查看所使用芯片的信息，Flash起始地址爲0x08000000，大小爲0x00040000（256KB）：
STM32L4x1芯片內部的Flash存儲器內存分佈如下：
STM32L431RCT6的Flash容量是256KB,所以只有Bank1，有128頁，每頁2KB。
解鎖/上鎖Flash操作
擦除或者寫入內部Flash的時候，需要先解鎖再操作，操作完畢之後上鎖：
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void);
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void);
擦除操作
HAL庫中定義了一個Flash初始化結構體，如下：
/**
* @brief FLASH Erase structure definition
*/
typedef struct
{
uint32_t TypeErase; /*!< Mass erase or page erase.
This parameter can be a value of @ref FLASH_Type_Erase */
uint32_t Banks; /*!< Select bank to erase.
This parameter must be a value of @ref FLASH_Banks
(FLASH_BANK_BOTH should be used only for mass erase) */
uint32_t Page; /*!< Initial Flash page to erase when page erase is disabled
This parameter must be a value between 0 and (max number of pages in the bank - 1)
(eg : 255 for 1MB dual bank) */
uint32_t NbPages; /*!< Number of pages to be erased.
This parameter must be a value between 1 and (max number of pages in the bank - value of initial page)*/
} FLASH_EraseInitTypeDef;
第一個參數TypeErase是參數類型，分爲頁擦除和塊擦除：
/** @defgroup FLASH_Type_Erase FLASH Erase Type
* @{
*/
#define FLASH_TYPEERASE_PAGES ((uint32_t)0x00) /*!<Pages erase only*/
#define FLASH_TYPEERASE_MASSERASE ((uint32_t)0x01) /*!<Flash mass erase activation*/
/**
* @}
*/
第二個參數Banks是選擇需要擦除哪一塊：
/** @defgroup FLASH_Banks FLASH Banks
* @{
*/
#define FLASH_BANK_1 ((uint32_t)0x01) /*!< Bank 1 */
#if defined (STM32L471xx) || defined (STM32L475xx) || defined (STM32L476xx) || defined (STM32L485xx) || defined (STM32L486xx) || \
defined (STM32L496xx) || defined (STM32L4A6xx) || defined (STM32L4R5xx) || \
defined (STM32L4R7xx) || defined (STM32L4R9xx) || defined (STM32L4S5xx) || defined (STM32L4S7xx) || defined (STM32L4S9xx)
#define FLASH_BANK_2 ((uint32_t)0x02) /*!< Bank 2 */
#define FLASH_BANK_BOTH ((uint32_t)(FLASH_BANK_1 | FLASH_BANK_2)) /*!< Bank1 and Bank2 */
#else
#define FLASH_BANK_BOTH ((uint32_t)(FLASH_BANK_1)) /*!< Bank 1 */
#endif
/**
* @}
*/
由參數中可以看到，STM32L431RCT6中只有Bank1可選。
第三個參數Page是初始化擦除頁，在STM32L431RCT6中，該值範圍是0-127。
第四個參數NbPages是要擦除的頁數，在STM32L431RCT6中，在1-（127-初始化參數頁的編號）。
擦除的時候，調用的API如下：
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError);
寫入操作
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data);
第一個參數是寫入類型：
/** @defgroup FLASH_Type_Program FLASH Program Type
* @{
*/
#define FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD ((uint32_t)0x00) /*!<Program a double-word (64-bit) at a specified address.*/
#define FLASH_TYPEPROGRAM_FAST ((uint32_t)0x01) /*!<Fast program a 32 row double-word (64-bit) at a specified address.
And another 32 row double-word (64-bit) will be programmed */
#define FLASH_TYPEPROGRAM_FAST_AND_LAST ((uint32_t)0x02) /*!<Fast program a 32 row double-word (64-bit) at a specified address.
And this is the last 32 row double-word (64-bit) programmed */
/**
* @}
*/
讀取操作
這個就不用API啦~CPU可以直接訪問到地址的，讀取就好。
實驗內容
首先包含進來頭文件：
/* Private includes ----------------------------------------------------------*/
/* USER CODE BEGIN Includes */
#include <stdio.h>
#include <string.h> //使用到了memcpy
/* USER CODE END Includes */
然後定義一個測試數據長度：
/* Private define ------------------------------------------------------------*/
/* USER CODE BEGIN PD */
#define LEN 10
/* USER CODE END PD */
編寫測試函數：
/* Private user code ---------------------------------------------------------*/
/* USER CODE BEGIN 0 */
void Onchip_Flash_Test(void)
{
int i;
uint32_t PageError = 0;
FLASH_EraseInitTypeDef FlashSet;
HAL_StatusTypeDef status;
uint32_t addr = 0x0803F800;
uint32_t data_buf[LEN];
/* 讀取Flash內容 */
memcpy(data_buf, (uint32_t*)addr, sizeof(uint32_t)*LEN);
printf("read before erase:\r\n\t");
for(i = 0;i < LEN;i++)
{
printf("0x%08x ", data_buf[i]);
}
printf("\r\n");
/* 寫入新的數據 */
//擦除最後一頁
FlashSet.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
FlashSet.Banks = FLASH_BANK_1;
FlashSet.Page = 127;
FlashSet.NbPages = 1;
//解鎖Flash操作
HAL_FLASH_Unlock();
status = HAL_FLASHEx_Erase(&FlashSet, &PageError);
HAL_FLASH_Lock();
if(status != HAL_OK)
{
printf("erase fail, PageError = %d\r\n", PageError);
}
printf("erase success\r\n");
/* 讀取Flash內容 */
memcpy(data_buf, (uint32_t*)addr, sizeof(uint32_t)*LEN);
printf("read after erase:\r\n\t");
for(i = 0;i < LEN;i++)
{
printf("0x%08x ", data_buf[i]);
}
printf("\r\n");
//寫入Flash內容
HAL_FLASH_Unlock();
for (i = 0; i < LEN * sizeof(uint32_t); i+=8)
{
//一個字是32位，一次寫入兩個字，64位，8個字節
status = HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, addr + i, (uint64_t)i);
if(status != HAL_OK)
{
break;
}
}
HAL_FLASH_Lock();
if(i < LEN)
{
printf("write fail\r\n");
}
else
{
printf("write success\r\n");
}
/* 讀取Flash內容 */
addr = 0x0803F800;
memcpy(data_buf, (uint32_t*)addr, sizeof(uint32_t)*LEN);
printf("read after write:\r\n\t");
for(i = 0;i < LEN;i++)
{
printf("0x%08x ", data_buf[i]);
}
printf("\r\n");
}
/* USER CODE END 0 */
最後在main.c 調用：
/* USER CODE BEGIN 2 */
printf("stm32l4 onchip flash test...\r\n");
Onchip_Flash_Test();
/* USER CODE END 2 */
實驗現象
編譯、下載、實驗現象如下：
更多精彩文章及資源，請關注我的微信公衆號：『mculover666』。
