NAND FLASH MT29F4G08

1 簡介

我們通過stm32f429的fmc接口實現對MT29F4G08的訪問，實現讀寫數據功能

• NAND FLASH信號線
  
  

• NAND FLASH 框圖
  

• NAND FLASH 存儲陣列
  
  以上可以得知：(MT29F4G08)
  每個這樣的芯片有兩個plane
  每個plane有2048個block，一個包含偶數塊，一個包含奇數塊
  每個block有64個pege
  每個page有2K+64字節
  所以這個芯片的總容量爲512M
  page有兩個區
  數據存儲區：一般用於存放用戶數據
  備份區：存放ECC校驗值，實現壞塊管理和磨損均衡

• 陣列尋址
  
  訪問存儲單元需要通過三個地址告訴芯片是哪個位置，
  CAx：column address也就是列地址，就是一個page內的地址，MT29F4G08page大小爲2112Bytes， 需要12根地址線表示，所以CA0~CA11
  PAx：page address 頁地址，每個block有64個頁，可以用6個地址線表示
  BAx：block address塊地址，此芯片總共有4096個塊，可以用12個地址線表示
  尋址需要五個週期數據：
  1~2 週期表示發送列地址，3 ~ 5週期表示塊和頁地址，可以用過一個參數被傳遞

2 命令定義

• 命令定義
  
  

1. 0x90 讀取設備ID，非常重要，首先讀取ID驗證讀寫操作是否有問題
   

2. READ PAGE
   這個指令用於讀取一個page，不能直接跨頁讀取
   
   首先發送一個字節命令00h，然後發送五個字節要讀取內容的地址，然後發送30h等待

3. WRITE PAGE.
   首先發送08h表示寫數據命令，然後發送五個字節的地址，告訴芯片要寫哪個位置，等待tADL時間後，可以連續讀出數據內容，不能跨頁，然後發送10h，表示加載到存儲位置，最後發送70h讀取狀態，等待芯片狀態爲READY後，一次寫操作完成。

4. ERASE BLOCK
   NAND FLASH最小的擦除單位是一個block
   
   首先發送60h，然後發送三個字節地址表示要擦除哪一個塊，然後發送DOh，等待READY後，一次擦除塊操作完成。

• ECC 校驗
  ECC，英文全稱爲： Error checking and Correction，是一種對傳輸數據的錯誤檢測和修正的
  算法。 STM32 的 FMC 模塊就支持硬件 ECC 計算，使用的就是漢明碼，

3. STM32 FMC接口