三星和另一家韓國半導體大廠Hynix(海力士半導體)就在ISSCC 2012上拿出了真正的DDR4內存芯片樣品。三星電子的樣品基於30nm CMOS工藝和3層金屬配線技術製造，單顆容量爲4Gbit，設定運行電壓爲1.2V。實際運行的電壓爲1.14V，測定傳輸速度爲 3.3Gbps(DDR4-3300)。當然，在三星20nm半導體生產線已經投入運行的情況下，DDR4 DRAM未來肯定會使用更先進的20nm製程工藝，頻率將會比等效3300MHz更高。
ISSCC 2012上三星電子同樣發表了它們的LPDDR3樣品：單顆容量爲4Gbit，基於30nm製造工藝，設定運行電壓爲1.2V，IO界面爲32bit。最 高可在85度環境中工作，電壓最低可至1.05V，此時運行速度可達1.6Gbps，功耗低至406mW。32bit的整個芯片可達到 6.4GByte/s的傳輸速。
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評論：
傳統DDR和mDDR主要區別：
1. mDDR沒有內置DLL，功耗更低。
2. mDDR接口電平是LCMOS,DDR是SSTL
爾必達破產，敗在沒看到移動互聯的巨大機會，抱殘守缺PC市場，破產是必然的！