n沟道场效应管（nFET），源极要默认接地的，当栅极vgate接高电平，Vgs=vdd；源极和漏极导通，Vd=0；当栅极vgate接低电平，Vgs=0；源极和漏极截至
P沟道场效应管（PFET），源极默认接vdd，当栅极vgate接低电平，Vgs=vdd；源极和漏极导通，Vd=vdd；当栅极vgate接高电平，Vgs=0；源极和漏极截至
PFET栅极接GND导通，Npet栅极接vdd导通。
用场效应管来组成“与”关系门：两个Npet 串联，源极接GND，栅极接AB
用场效应管组成“或”关系：两个Nfet并联，栅极接AB
