兩款芯片已積極排片備產，據高通英文官網透露將由28納米工藝製造。有猜測表示驍龍617可能交由中芯國際代工，而驍龍430交由臺積電代工。採用驍龍430處理器的商用終端預計將於2016年第2季度上市，而驍龍617處理器預計將於2015年底前在商用終端中實現應用。
驍龍430具體參數：
1.X6 LTE調制解調器下行支持Cat 4，最高傳輸速度達150 Mbps，並且支持2x10 MHz載波聚合。通過首次在該層級處理器中支持64-QAM，上行支持Cat 5，最高傳輸速度達75 Mbps；
2.支持雙攝像頭配置和最高達2100萬像素傳感器的優質圖像，並採用全新強大的Qualcomm Adreno 505 GPU，支持Open GL ES3.1、Android Extension Pack和 OpenCL 2.0等特性。
驍龍617具體參數：
1.包含此前6XX系列僅限於高端產品的特性，較驍龍430的連接性和各項能力有全面提升。
2.集成了X8 LTE調制解調器，利用雙向2x20 MHz載波聚合支持Cat 7，下行速度最高達300 Mbps，上行速度最高達100 Mbps，滿足全球對更快LTE數據速率的需求；
3.與驍龍620與618享有同樣的軟件提升、雙ISP以及攝像頭架構。此外，驍龍617、618和620能夠運行相同的軟件包，使OEM廠商可以快速高效地推出產品。
Qualcomm表示，驍龍617和430與面向全球載波聚合的全新成本優化型射頻收發器WTR 2965相匹配，能實現最優射頻性能。
此外，兩款處理器都使用了高性能、低功率的Qualcomm Hexagon DSP，支持低功率傳感器和先進的音頻功能。驍龍430和驍龍617處理器還將快速追蹤區域認證流程，以支持Qualcomm全球支持計劃（Qualcomm Global Pass）認證項目。
高通驍龍820採用X12 LTE基帶 最高支持Cat 13
早前消息顯示，驍龍820處理器是高通認知計算平臺Zeroth的首款重量級產品，具備“人工智能”能力。會採用4核心64位架構——Qualcomm Kryo CPU，集成Adreno 530 GPU和Qualcomm Spectra ISP，以及全新的Hexagon 680 DSP。
高通表示，驍龍820將首次集成全新的X12 LTE調制解調器；支持Cat12 、Cat 13網絡標準，理論上支持下行600Mbps、上行150Mbps。與前代產品相比，下載和上傳速度分別提高了33%和200%。
值得一提的是，X12 LTE調制解調器支持下一代高清LTE語音（VoLTE）和LTE視頻（ViLTE）通話服務，同時還能保證LTE和Wi-Fi間的通話連續性。
藉助高通認知計算平臺Zeroth的認知能力，X12 LTE調制解調器能夠實時監測Wi-Fi連接質量，並決定是否及何時在LTE與Wi-Fi間切換通話。
此外，驍龍820處理器首次宣佈支持LTE 4x4多輸入多輸出（MIMO）技術，可提高單LTE載波下載吞吐速度，並首次集成閉環天線調諧技術，可在實際網絡條件
下動態地優化射頻性能，尤其適用於高端手機採用的金屬材質。減少通話掉線、改善小區邊緣吞吐量，並且進一步降低功耗。
X12 LTE調制解調器還支持支持LTE、Wi-Fi之間的多種天線共享機制，幫助手機廠商更輕鬆的設計出支持LTE-U、4x4 LTE MIMO和雙頻Wi-Fi等技術的終端，同時保證具有吸引力的外觀設計，並且對任一技術的性能影響降至最低。
據高通透露，搭載驍龍820的高端手機終端，將於2016年上半年正式發佈。
高通在旗艦處理器驍龍820上放棄使用8核構架轉向4核，更多的是意識到高端市場的威脅來自三星；此次中端系列產品全面提升爲8核並且爲LTE量身打造，3G芯片市場無利可圖，乘MTK衰弱之際爭取更多中國安卓手機廠商訂單。芯片構架上的進步趨緩，手機芯片市場再起硝煙。
高通推出手機快充3.0兼容USB Type-C
高通子公司Qualcomm Technologies同時宣佈推出下一代快速充電技術QualcommQuick Charge3.0。可實現比上一代效率最高提升38%，快速充電速度最高達27%，同時幫助保護電池壽命週期。
目前，運營商和OEM廠商將受益於既有的Quick Charge生態系統，包括20多家已支持Quick Charge 2.0技術的OEM廠商和90多種可用配件。
作爲快速充電技術的第三代產品，Quick Charge 3.0在同類產品中首次採用最佳電壓智能協商（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV）算法。該算法在幫助便攜設備具備選定所需功率電平的能力，以在任意時刻實現最佳功率傳輸，且最大化效率。
據瞭解，Quick Charge 3.0能在大約35分鐘內將一部典型的手機從零電量充電至80%，而不具備Quick Charge的傳統移動終端通常需要大致一個半小時的時間。
此外，當與Qualcomm最新的、先進並聯充電配置一起使用時，Quick Charge 3.0可以實現：
1、與Quick Charge 2.0相比，幫助提高快速充電速度最高達27%，或減少功率損耗最高達45%；
2、比Quick Charge 1.0快2倍的充電速度。
充電選項方面：Quick Charge 2.0提供5V、9V、12V和20V四檔充電電壓，Quick Charge 3.0則以200mV增量爲一檔，提供從3.6V到20V電壓的靈活選擇。這將允許手機獲得恰到好處的電壓，達到預期的充電電流，從而最小化電量損失、提高充電效率並改善熱表現。
此外，Quick Charge 3.0能夠與Quick Charge之前的版本及連接器（包括USB Type-C）前向和後向兼容，並且擁有同樣的超快充電速度，以及獨立電路，爲OEM廠商提供更靈活的選擇，此外還有幫助達到質量和安全標準的UL認證。
最後，Quick Charge 3.0將在部分Qualcomm驍龍處理器中以選配形式提供，包括驍龍820、620、618、617和430處理器；搭載這一技術的移動終端預計將於明年上市。