內存廠商爲了能讓內存芯片存儲更多的數據,於是將內存中的DRAM(The Dynamic Random Access Memory)cell越做越小並且離的越來越近,從而導致相鄰的cell在通電的過程中會受到影響。因此,如果我們不斷的訪問某個位置上的內存,就可能會造成相鄰的內存進行位翻轉。隨後google project zero還通過PC上的linux提權,證明了這種現象的確存在並且可以用來進行攻擊(https://googleprojectzero.blogspot.com/2015/03/exploiting-dram-rowhammer-bug-to-gain.html)並將這種攻擊方式稱爲RowHammer
RowHammer攻擊
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