内存厂商为了能让内存芯片存储更多的数据,于是将内存中的DRAM(The Dynamic Random Access Memory)cell越做越小并且离的越来越近,从而导致相邻的cell在通电的过程中会受到影响。因此,如果我们不断的访问某个位置上的内存,就可能会造成相邻的内存进行位翻转。随后google project zero还通过PC上的linux提权,证明了这种现象的确存在并且可以用来进行攻击(https://googleprojectzero.blogspot.com/2015/03/exploiting-dram-rowhammer-bug-to-gain.html)并将这种攻击方式称为RowHammer
RowHammer攻击
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