1. 真實的半導體開關器件都有寄生的並聯電阻，實際上來源於導致泄露損耗的漏電流通路模型。器件的正向壓降一定意義上也可看作導致導通損耗的串聯寄生電阻所產生。
2. MOSFET的寄生參數（電容）是限制其開關速度（轉換時間）的重要因素。
3. 有些損耗從本質上與頻率無關（如導通損耗）。實際上，其他損耗幾乎都隨頻率的升高而成比例的增加，如交叉損耗。因此，一般來說，降低（而不是提高）開關頻率幾乎總是有助於提高效率。---高頻開關時遇到的問題。
4. 提高頻率的目的居然是讓開關頻率的噪聲超出人類的聽覺範圍，並且開關電源中的大型元器件電感的尺寸也會隨之減小。
5. 電源在任一時刻的可靠性R定義爲R(t)=exp(-λt）。在t=0時，可靠性爲最大值1，可靠性隨着時間的推移呈指數規律下降。λ爲電源失效率，在一定時間段內失效的電源數量。另一個常用的名詞是MTBF，及平均無故障時間，λ=1/MTBF。