DDR DDRII DDRII差異
DDR是一種繼SDRAM後產生的內存技術，DDR，英文原意爲“DoubleDataRate”，顧名思義，就是雙數據傳輸模式。之所以稱其爲“雙”，也就意味着有“單”，我們日常所使用的SDRAM都是“單數據傳輸模式”，這種內存的特性是在一個內存時鐘週期中，在一個方波上升沿時進行一次操作(讀或寫)，而DDR則引用了一種新的設計，其在一個內存時鐘週期中，在方波上升沿時進行一次操作，在方波的下降沿時也做一次操作，之所以在一個時鐘週期中，DDR則可以完成SDRAM兩個週期才能完成的任務，所以理論上同速率的DDR內存與SDR內存相比，性能要超出一倍，可以簡單理解爲100MHZ DDR=200MHZ SDR。
DDR內存不向後兼容SDRAM
DDR內存採用184線結構，DDR內存不向後兼容SDRAM，要求專爲DDR設計的主板與系統。
DDR-II內存將是現有DDR-I內存的換代產品，它們的工作時鐘預計將爲400MHz或更高（包括現代在內的多家內存商表示不會推出DDR-II 400的內存產品）。從JEDEC組織者闡述的DDR-II標準來看，針對PC等市場的DDR-II內存將擁有400-、533、667MHz等不同的時鐘頻率。
高端的DDR-II內存將擁有800-、1000MHz兩種頻率。DDR-II內存將採用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR-II內存將採用0.13微米的生產工藝，內存顆粒的電壓爲1.8V，容量密度爲512MB。 DDR-II將採用和DDR-I內存一樣的指令，但是新技術將使DDR-II內存擁有4到8路脈衝的寬度。DDR-II將融入CAS、OCD、ODT等新性能指標和中斷指令。DDR-II標準還提供了4位、8位512MB內存1KB的尋址設置，以及16位512MB內存2KB的尋址設置。
DDR-II內存標準還包括了4位預取數（pre-fetch of 4 bits）性能，DDR-I技術的預取數位只有2位。
DDR內存不向後兼容SDRAM
DDR內存採用184線結構，DDR內存不向後兼容SDRAM，要求專爲DDR設計的主板與系統。
DDR-II內存將是現有DDR-I內存的換代產品，它們的工作時鐘預計將爲400MHz或更高（包括現代在內的多家內存商表示不會推出DDR-II 400的內存產品）。從JEDEC組織者闡述的DDR-II標準來看，針對PC等市場的DDR-II內存將擁有400-、533、667MHz等不同的時鐘頻率。
高端的DDR-II內存將擁有800-、1000MHz兩種頻率。DDR-II內存將採用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR-II內存將採用0.13微米的生產工藝，內存顆粒的電壓爲1.8V，容量密度爲512MB。 DDR-II將採用和DDR-I內存一樣的指令，但是新技術將使DDR-II內存擁有4到8路脈衝的寬度。DDR-II將融入CAS、OCD、ODT等新性能指標和中斷指令。DDR-II標準還提供了4位、8位512MB內存1KB的尋址設置，以及16位512MB內存2KB的尋址設置。
DDR-II內存標準還包括了4位預取數（pre-fetch of 4 bits）性能，DDR-I技術的預取數位只有2位。
DDR3在DDR2的基礎上採用了以下新型設計：
·8bit預取設計，DDR2爲4bit預取，這樣DRAM內核的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz
·採用點對點的拓樸架構，減輕地址/命令與控制總線的負擔
·採用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準功能。
DDR3與DDR2有什麼不同之處？
1、邏輯Bank數量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是爲了應對未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還爲未來的16個邏輯Bank做好了準備。
2、封裝（Packages）
DDR3由於新增了一些功能，所以在引腳方面會有所增加，8bit芯片採用78球FBGA封裝，16bit芯片採用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。
3、突發長度（BL，Burst Length）
由於DDR3的預取爲8bit，所以突發傳輸週期（BL，Burst Length）也固定爲8，而對於DDR2和早期的DDR架構的系統，BL=4也是常用的，DDR3爲此增加了一個4-bit Burst Chop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是，任何突發中斷操作都將在DDR3內存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發傳輸控制（如4bit順序突發）。
4、尋址時序（Timing）
就像DDR2從DDR轉變而來後延遲週期數增加一樣，DDR3的CL週期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL範圍一般在2至5之間，而DDR3則在5至11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的範圍是0至4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數——寫入延遲（CWD），這一參數將根據具體的工作頻率而定。
5、新增功能——重置（Reset）
重置是DDR3新增的一項重要功能，併爲此專門準備了一個引腳。DRAM業界已經很早以前就要求增這一功能，如今終於在DDR3身上實現。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時，DDR3內存將停止所有的操作，並切換至最少量活動的狀態，以節約電力。在Reset期間，DDR3內存將關閉內在的大部分功能，所以有數據接收與發送器都將關閉。所有內部的程序裝置將復位，DLL（延遲鎖相環路）與時鐘電路將停止工作，而且不理睬數據總線上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達到最節省電力的目的。
6、新增功能——ZQ校準
ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集，通過片上校準引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）來自動校驗數據輸出驅動器導通電阻與ODT的終結電阻值。當系統發出這一指令之後，將用相應的時鐘週期（在加電與初始化之後用512個時鐘週期，在退出自刷新操作後用256時鐘週期、在其他情況下用64個時鐘週期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。
7、參考電壓分成兩個
對於內存系統工作非常重要的參考電壓信號VREF，在DDR3系統中將分爲兩個信號。一個是爲命令與地址信號服務的VREFCA，另一個是爲數據總線服務的VREFDQ，它將有效的提高系統數據總線的信噪等級。
8、根據溫度自動自刷新（SRT，Self-Refresh Temperature）
爲了保證所保存的數據不丟失，DRAM必須定時進行刷新，DDR3也不例外。不過，爲了最大的節省電力，DDR3採用了一種新型的自動自刷新設計（ASR，Automatic Self-Refresh）。當開始ASR之後，將通過一個內置於DRAM芯片的溫度傳感器來控制刷新的頻率，因爲刷新頻率高的話，消電就大，溫度也隨之升高。而溫度傳感器則在保證數據不丟失的情況下，儘量減少刷新頻率，降低工作溫度。不過DDR3的ASR是可選設計，並不見得市場上的DDR3內存都支持這一功能，因此還有一個附加的功能就是自刷新溫度範圍（SRT，Self-Refresh Temperature）。通過模式寄存器，可以選擇兩個溫度範圍，一個是普通的的溫度範圍（例如0℃至85℃），另一個是擴展溫度範圍，比如最高到95℃。對於DRAM內部設定的這兩種溫度範圍，DRAM將以恆定的頻率和電流進行刷新操作。
9、局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）
這是DDR3的一個可選項，通過這一功能，DDR3內存芯片可以只刷新部分邏輯Bank，而不是全部刷新，從而最大限度的減少因自刷新產生的電力消耗。這一點與移動型內存（Mobile DRAM）的設計很相似。
10、點對點連接（P2P，Point-to-Point）
這是爲了提高系統性能而進行了重要改動，也是與DDR2系統的一個關鍵區別。在DDR3系統中，一個內存控制器將只與一個內存通道打交道，而且這個內存通道只能一個插槽。因此內存控制器與DDR3內存模組之間是點對點（P2P，Point-to-Point）的關係（單物理Bank的模組），或者是點對雙點（P22P，Point-to-two-Point）的關係（雙物理Bank的模組），從而大大減輕了地址/命令/控制與數據總線的負載。而在內存模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標準DIMM（臺式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務器）之分，其中第二代FB-DIMM將採用規格更高的AMB2（高級內存緩衝器）。
·8bit預取設計，DDR2爲4bit預取，這樣DRAM內核的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz
·採用點對點的拓樸架構，減輕地址/命令與控制總線的負擔
·採用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準功能。
DDR3與DDR2有什麼不同之處？
1、邏輯Bank數量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是爲了應對未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還爲未來的16個邏輯Bank做好了準備。
2、封裝（Packages）
DDR3由於新增了一些功能，所以在引腳方面會有所增加，8bit芯片採用78球FBGA封裝，16bit芯片採用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。
3、突發長度（BL，Burst Length）
由於DDR3的預取爲8bit，所以突發傳輸週期（BL，Burst Length）也固定爲8，而對於DDR2和早期的DDR架構的系統，BL=4也是常用的，DDR3爲此增加了一個4-bit Burst Chop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是，任何突發中斷操作都將在DDR3內存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發傳輸控制（如4bit順序突發）。
4、尋址時序（Timing）
就像DDR2從DDR轉變而來後延遲週期數增加一樣，DDR3的CL週期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL範圍一般在2至5之間，而DDR3則在5至11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的範圍是0至4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數——寫入延遲（CWD），這一參數將根據具體的工作頻率而定。
5、新增功能——重置（Reset）
重置是DDR3新增的一項重要功能，併爲此專門準備了一個引腳。DRAM業界已經很早以前就要求增這一功能，如今終於在DDR3身上實現。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時，DDR3內存將停止所有的操作，並切換至最少量活動的狀態，以節約電力。在Reset期間，DDR3內存將關閉內在的大部分功能，所以有數據接收與發送器都將關閉。所有內部的程序裝置將復位，DLL（延遲鎖相環路）與時鐘電路將停止工作，而且不理睬數據總線上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達到最節省電力的目的。
6、新增功能——ZQ校準
ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集，通過片上校準引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）來自動校驗數據輸出驅動器導通電阻與ODT的終結電阻值。當系統發出這一指令之後，將用相應的時鐘週期（在加電與初始化之後用512個時鐘週期，在退出自刷新操作後用256時鐘週期、在其他情況下用64個時鐘週期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。
7、參考電壓分成兩個
對於內存系統工作非常重要的參考電壓信號VREF，在DDR3系統中將分爲兩個信號。一個是爲命令與地址信號服務的VREFCA，另一個是爲數據總線服務的VREFDQ，它將有效的提高系統數據總線的信噪等級。
8、根據溫度自動自刷新（SRT，Self-Refresh Temperature）
爲了保證所保存的數據不丟失，DRAM必須定時進行刷新，DDR3也不例外。不過，爲了最大的節省電力，DDR3採用了一種新型的自動自刷新設計（ASR，Automatic Self-Refresh）。當開始ASR之後，將通過一個內置於DRAM芯片的溫度傳感器來控制刷新的頻率，因爲刷新頻率高的話，消電就大，溫度也隨之升高。而溫度傳感器則在保證數據不丟失的情況下，儘量減少刷新頻率，降低工作溫度。不過DDR3的ASR是可選設計，並不見得市場上的DDR3內存都支持這一功能，因此還有一個附加的功能就是自刷新溫度範圍（SRT，Self-Refresh Temperature）。通過模式寄存器，可以選擇兩個溫度範圍，一個是普通的的溫度範圍（例如0℃至85℃），另一個是擴展溫度範圍，比如最高到95℃。對於DRAM內部設定的這兩種溫度範圍，DRAM將以恆定的頻率和電流進行刷新操作。
9、局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）
這是DDR3的一個可選項，通過這一功能，DDR3內存芯片可以只刷新部分邏輯Bank，而不是全部刷新，從而最大限度的減少因自刷新產生的電力消耗。這一點與移動型內存（Mobile DRAM）的設計很相似。
10、點對點連接（P2P，Point-to-Point）
這是爲了提高系統性能而進行了重要改動，也是與DDR2系統的一個關鍵區別。在DDR3系統中，一個內存控制器將只與一個內存通道打交道，而且這個內存通道只能一個插槽。因此內存控制器與DDR3內存模組之間是點對點（P2P，Point-to-Point）的關係（單物理Bank的模組），或者是點對雙點（P22P，Point-to-two-Point）的關係（雙物理Bank的模組），從而大大減輕了地址/命令/控制與數據總線的負載。而在內存模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標準DIMM（臺式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務器）之分，其中第二代FB-DIMM將採用規格更高的AMB2（高級內存緩衝器）。