1 分類
特點：
SRAM是目前讀寫最快的存儲設備，但製造成本高，通常用於CPU的一級緩存，二級緩存。
DRAM保留數據時間段，速度比SRAM慢，但比任何ROM都要快，計算機的內存就是DRAM的。
DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM)，習慣稱DDR，即雙倍速率同步動態隨機存儲器。其在SDRAM的基礎上發展而來，SDRAM在一個時鐘週期內只傳輸一次數據，在上升沿傳輸；而DDR則是一個時鐘週期內傳輸兩次數據，能夠在上升沿與下降沿各傳輸一次。根據工作頻率的不同，DDR有DDR200、DDR266、DDR333、DDR400、DDR533等。DDR2內存擁有兩倍於DDR內存的預讀取能力(即4bit數據讀預取)，也就是說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的數據讀/寫數據，並且能夠以內部控制總線4倍速度運行。DDR3相比DDR2有更低工作電壓，數據預讀升級到8bit。
EEPROM(Electrically Erasable Programmable ReadOnly Memory)，電可擦除可編程只讀存儲器。
Flash存儲器，又稱閃存，不僅具備EEPROM的性能，又不會斷電丟失數據，U盤就是這種存儲器。目前主要有兩種：Nor Flash和Nand Flash。
| Nor | Nand | |
|---|---|---|
| 接口 | RAM-Like | 複用I/O |
| 容量 | 1MB~32MB | 16MB~512MB |
| XIP(代碼可直接運行) | Yes | No |
| 性能 | 擦除 | 非常慢(5s) |
| 寫 | 慢 | 快 |
| 讀 | 快 | 快 |
| 可靠性 | 較高，位反轉比例小於Nand Flash的10% | 較低，位反轉較常見，必須要有校驗措施 |
| 可擦寫次數 | 10000~100000 | 100000~1000000 |
| 易用性 | 容易 | 複雜 |
| 主要用途 | 保存代碼和關鍵數據 | 保存數據 |
| 生命週期 | 低於Nand Flash的10% | 是Nor Flash10倍以上 |
注：
① XIP，即代碼可直接運行，無需複製到內存。Nor Flash接口與RAM完全相同，可隨機訪問任意地址數據，Nor Flash存儲程序，Nand Flash存儲數據，兩者一般同時使用。
② Flash以塊爲單位，擦除必須以塊擦除 -> Nor Flash 塊大小64Kb-128Kb；Nand Flash 塊大小8-64Kb；這也是擦除慢的原因。
③ Nand Flash 一般以512byte爲單位讀寫，更適合存儲數據。
④ EDC/ECC檢測/恢復位反轉(Linux中已經實現)
⑤ Nor->jiffs2;Nand->yaffs
現代工藝，出現壞塊機率不大，手機中一般只使用Nand Flash
2 Nor Flash
2.1 接口
Nor Flash的接口爲RAM-Like，屬於內存類接口，故其包含有數據線、地址線、控制信號。Nor Flash可以像內存一樣讀，但是不能像內存一樣寫，需要做一些特殊的操作才能進行寫操作，讀只需像內存一樣讀很簡單。下圖爲接口示意圖：
根據連線圖，發現A0接了LADDR1，是由於該款芯片位寬爲16位。對於計算機而言，讀取數據必然都是8bit的倍數。假設執行：
MOV R0， #3 @去地址爲3的內存上
LDRB R1, [R0] @ 從內存爲3的地址上，讀出一個字節
CPU發出0x00000003地址，經內存控制器，到芯片中接收到A(0) = 1;A(1) = 0;根據內存分佈也就是第一個地址空間的第3地址的數據。如下圖所示：
簡言之，CPU發出的地址到具體的存儲芯片中會轉化爲地址空間，再去取相應地址值。所以在編程中對於16位寬操作需要左移1位。
2.2 規範
（1）jedec
內核中實現定義了一個數組，通過比較ID，相同則使用
探測簡單，但數組過於龐大
（2）CFI
直接發送各種命令讀取芯片狀態(通用)
進入CFI模式：往55H寫入98H
2.3 指令
Nor Flash的操作需要寫入相應的命令，以MX29LV800BBTC爲例datasheet中給出了命令參數：
注：
ADI ：讀寫ID，A1=0,A0=0(manufacturer)；A1=0,A0=1(device)
DDI ：本款芯片ID：C2H(manufacturer)；22DA/DA-top 225B/5B-bottom(device)
PA ：內存地址位
PD ：讀取PA的數據