一、SRAM
SRAM存储器的存储元为一个触发器。
SRAM的优点是存取速度快，但存储容量不如DRAM大。
任何一个SRAM，都有三组信号线与外部打交道：地址线、数据线和控制线。
如下图表示存储容量为32K*8位的SRAM逻辑结构图，即256行*128列*8位。
二、DRAM
1.简介
DRAM存储器的存储元是由一个MOS晶体管和电容器组成的记忆电路。
与SRAM的区别：
（1）增加了行地址锁存器和列地址锁存器。控制分时传送地址码。
（2）增加了刷新计时器和相应的控制电路。DRAM读出后必须刷新，而未读写的存储元也要定时刷新，而且要按行刷新，所以刷新计数器的长度等于列地址锁存器。刷新操作与读/写操作是交替运行的，所以通过2选1多路开关提供刷新行地址或正常读/写的行地址。
2.刷新
DRAM存储位元是基于电容器上的电荷量存储，这个电荷量随着时间和温度减少，所以必须定时刷新，以保持它们原来记忆的正确信息。一次读操作会自动地刷新选中行中的所有存储位元。
刷新操作分为集中式刷新和分散式刷新。
1)集中式刷新：DRAM所有行在每一个刷新周期中都被刷新。如刷新周期为8ms的内存来说，所有行的集中式刷新必须每隔8ms进行一次。8ms分为两部分：前一段时间进行正常读/写操作，后一段时间（8ms至正常读/写周期时间）进行集中刷新操作，数据线输出被封锁。
2)分散式刷新：每一行的刷新插入到正常的读/写周期中。如DRAM由1024行，若刷新周期为8ms，则每一行必须每隔8ms/1024=7.8微秒进行一次。
三、存储容量扩展
由於单片存储芯片的容量总是有限的，很难满足实际的需要，因此，必须将若干存储芯片连在一起才能组成足够容量的存储器，称为存储容量的扩展。
（1）位扩展
位扩展是为了增加存储字长。
地址线及控制线由两个芯片共享，数据每个芯片各4位。
（2）字扩展
字扩展是为了增加存储器字的数量。
数据线及控制线由两片芯片共享，两片芯片的地址线不能同时操作，A10作为片选信号，控制哪一片工作。
（3）字、位扩展
字、位扩展是既增加存储字的数量，又增加存储字长。
先进行位扩展，一组为两片；再进行字扩展，共需四组。CS0控制第一组；CS1控制第二组；CS2控制第三组；CS3控制第四组。也就是说，两两芯片为一组，构成1个1Kx8位的芯片；然后，用片选信号A10、A11控制哪一片工作。
四、存储器与CPU的连接
（1）地址线的连接：一般CPU地址线低位与存储芯片的地址线相连，高位用做其他用途，如片选信号等；
（2）数据线的连接：使数据位数与CPU的数据线数相等；
（3）读/写命令线的连接：如高电平为读，低电平为写；
（4）片选线的连接：译码器的使用等；
（5）选择合理的存储芯片：芯片尽可能少；连线尽可能简单。