推薦STM32F030K6T6國產兼容替換芯馬XM1008K6T6
STM32F030K6T6的介紹
意法半導體MCU型號STM32F030K6T6，基於超低功耗的 ARM Cortex-M0 處理器內核，具有高性價比。該系列MCU縮短了採用 8 位和 16 位MCU的設備與採用 32 位MCU的設備之間的性能差距，能夠在經濟型用戶終端產品上實現先進且複雜的功能，被廣泛應用在各行業領域。
微控制器採用高性能的內核M0的48兆赫茲32位RISC內核，並高速嵌入式SRAM存儲器以及廣泛的增強型外設和I / O。所有微控制器器件均提供標準通信接口，一個12位ADC，七個通用 16位定時器和一個高級控制PWM定時器。STM32F030K6T6微控制器工作電壓2.4至3.6V和工作溫度範圍-40至+85°C內工作。具有全面的省電模式，可用於設計低功耗應用。此款型號可用深圳芯馬科技XM1008K6T6進行1:1 兼容替換。
XM1008K6T6不僅僅是全替代
- 更多的SRAM：嵌入高達32Kbytes flash和8Kbytes SRAM。打破行業內Flash和SRAM比例，採用4:1 高比值，
- 2路Uart：更多的外設資源（8個Timer、2個Usart）提高用戶體驗和性價比。
- 更寬的電壓：支持2V~5V
- 更高的ESD性能：可達到4000V
- RTC能兼容的晶振更多
XM1008K6T6的幾個小突破
- 不修改軟件替換，可達到100%完美替換
- M0內核Coremark 跑分和ST一致，內核不會變慢（真正做到性能替換）
- ADC精度
- ESD可以到4KV，SRAM帶奇偶校驗可靠性指標
- flash 擦寫保證2萬次，壽命常溫到100年
XM1008K6T6的產品特性
存儲器
高達 32KByte 的 Flash 存儲器。支持 0 等待（頻率不高於24MHz）
高達 8KByte SRAM，附帶奇偶校驗，增強系統的穩定性
工作電壓範圍
雙電源域：主電源 VDD 2.0V ~ 5.5V、備份電池電源 VBAT 1.8V ~ 5.5V當主電源 VDD 掉電時， RTC 模塊可繼續工作在 VBAT 電源下工作
靈活的功耗管理系統
Stop 待機功耗:[email protected]
Standby 待機功耗:[email protected]
工作溫度範圍
-40ºC ~ 105ºC 或者 -40ºC ~ 85ºC
時鐘模塊
̶ 內部高速振盪器8MHz
̶ 內部高速振盪器14MHz
̶ 內部低速振盪器40KHz
̶ 外部高速晶振4~32MHz
̶ 外部低速晶振32.768KHz
̶ PLL, 最高 48MHz
復位
外部管腳復位
上電覆位
軟件復位
看門狗（IWDT 和 WWDT）復位
低功耗模式復位
一個 12 位 SAR ADC 轉換器
̶10 個外部模擬信號輸入通道
̶最高轉換器頻率： 1Mbps
̶支持自動連續轉換、掃描轉換
RTC
̶日曆功能，當主電源關閉時候可以保存20 bytes的數據
5通道DMA
定時器
̶TIM1 高級控制定時器，有6 通道 PWM 輸出，死區和剎車等功能。
̶TIM2/TIM3/TIM14/TIM15/TIM16/TIM17 通用定時器
̶TIM6基本定時器
̶24位SystemTick 計時器
̶兩種WDT
通用外設接口
̶1路SPI接口：最快支持16MBit/s, 4~16 Bit幀格式，不支持I2S
̶2路USART：其中一路具有ISO7816 接口、LIN、IrDA ，自動波特率檢測和支持Stop喚醒
̶1路I2C：一路支持快速模式1MBit/s ,支持SMBus/PMBus，支持Stop喚醒
封裝
—LQFP32