STM32 芯片內部的 FLASH 存儲器，主要用於存儲我們代碼。如果內部FLASH存儲完我們的代碼還有剩餘的空間，那麼這些剩餘的空間我們就可以利用起來，存儲一些需要掉電保存的數據。
本文以STM32103ZET6爲例。STM32103ZET6屬於大容量產品，其閃存模塊組織如下：
======001
其主存儲器大小爲512KB，分爲256頁，每頁大小都爲2KB。我們的程序一般默認燒寫到第0頁的起始地址（0x08000000）處。當BOOT0引腳和BOOT1引腳都接GND時，就是從這個地址開始運行代碼的。這個地址在keil中可以看到：
======002
假如我們要下載的程序大小爲4.05KB，則第0、1、2頁用於保存我們的程序，我們需要掉電保存的數據只能保存在第3頁至第255頁這一部分空間內。我們最終要下載的程序大小可在工程對應的.map文件中看到。.map文件可以雙擊工程的Target的名字快速打開，如：
======003
下面對STM32的內部FLASH進行簡單的讀寫測試：
STM32的內部FLASH讀寫測試
過程圖如下（省略異常情況，只考慮成功的情況）：
======004
示例代碼：
本例的關鍵代碼如下：
/*******************************************************************************************************
*------------------------------------------STM32 Demo---------------------------------------------------
*
* 工程說明：STM32內部FLASH實驗
* 作 者：ZhengNian
* 博 客：zhengnianli.github.io
* 公 衆 號：嵌入式大雜燴
*
********************************************************************************************************/
#define MAIN_CONFIG
#include "config.h"
/* STM32F103ZET6有256頁，每一頁的大小都爲2KB */
#define ADDR_FLASH_PAGE_255 ((uint32_t)0x0807F800) /* Page255 2KB */
/* FLASH讀寫測試結果 */
#define TEST_ERROR -1 /* 錯誤（擦除、寫入錯誤） */
#define TEST_SUCCESS 0 /* 成功 */
#define TEST_FAILED 1 /* 失敗 */
/* Flash讀寫測試buf */
#define BufferSize 6
uint16_t usFlashWriteBuf[BufferSize] = {0x0101,0x0202,0x0303,0x0404,0x0505,0x0606};
uint16_t usFlashReadBuf[BufferSize] = {0};
/* 供本文件調用的函數聲明 */
static int FlashReadWriteTest(void);
/*******************************************************************************************************
** 函數: main
**------------------------------------------------------------------------------------------------------
** 參數: void
** 返回: 無
** 說明: 主函數
********************************************************************************************************/
int main(void)
{
/* 上電初始化 */
SysInit();
/* 內部Flash讀寫測試 */
if (TEST_SUCCESS == FlashReadWriteTest())
{
printf("Flash test success!\n");
}
else
{
printf("Flash test failed!\n");
}
while (1)
{}
}
/*******************************************************************************************************
** 函數: FlashReadWriteTest, 內部Flash讀寫測試函數
**------------------------------------------------------------------------------------------------------
** 參數: void
** 返回: TEST_ERROR：錯誤（擦除、寫入錯誤） TEST_SUCCESS：成功 TEST_FAILED：失敗
** 說明: 無
********************************************************************************************************/
static int FlashReadWriteTest(void)
{
uint32_t ucStartAddr;
/* 解鎖 */
FLASH_Unlock();
/* 擦除操作 */
ucStartAddr = ADDR_FLASH_PAGE_255;
if (FLASH_COMPLETE != FLASH_ErasePage(ucStartAddr))
{
printf("Erase Error!\n");
return TEST_ERROR;
}
else
{
ucStartAddr = ADDR_FLASH_PAGE_255;
printf("擦除成功，此時FLASH中值爲：\n");
for (int i = 0; i < BufferSize; i++)
{
usFlashReadBuf[i] = *(uint32_t*)ucStartAddr;
printf("ucFlashReadBuf[%d] = 0x%.4x\n", i, usFlashReadBuf[i]);
ucStartAddr += 2;
}
}
/* 寫入操作 */
ucStartAddr = ADDR_FLASH_PAGE_255;
printf("\n往FLASH中寫入的數據爲：\n");
for (int i = 0; i < BufferSize; i++)
{
if (FLASH_COMPLETE != FLASH_ProgramHalfWord(ucStartAddr, usFlashWriteBuf[i]))
{
printf("Write Error!\n");
return TEST_ERROR;
}
printf("ucFlashWriteBuf[%d] = 0x%.4x\n", i, usFlashWriteBuf[i]);
ucStartAddr += 2;
}
/* 上鎖 */
FLASH_Lock();
/* 讀取操作 */
ucStartAddr = ADDR_FLASH_PAGE_255;
printf("\n從FLASH中讀出的數據爲：\n");
for (int i = 0; i < BufferSize; i++)
{
usFlashReadBuf[i] = *(__IO uint16_t*)ucStartAddr;
printf("ucFlashReadBuf[%d] = 0x%.4x\n", i, usFlashReadBuf[i]);
ucStartAddr += 2;
}
/* 讀出的數據與寫入的數據做比較 */
for (int i = 0; i < BufferSize; i++)
{
if (usFlashReadBuf[i] != usFlashWriteBuf[i])
{
return TEST_FAILED;
}
}
return TEST_SUCCESS;
}
/*********************************************************************************************************
** End Of File
********************************************************************************************************/
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（1）進行解鎖操作
STM32 的閃存編程是由內嵌的閃存編程/擦除控制器(FPEC)管理 ，這個模塊包含的寄存器如下：
======005
STM32 復位後， FPEC 模塊是被保護的， 不能寫入 FLASH_CR 寄存器； 通過寫入特定的序列到 FLASH_KEYR 寄存器可以打開 FPEC 模塊（即寫入 KEY1 和KEY2） ， 只有在寫保護被解除後， 我們才能操作相關寄存器。 固件庫中的函數爲：
void FLASH_Unlock(void);
1
（2）擦除將要寫的頁
STM32 的 FLASH 在編程的時候，也必須要求其寫入地址的 FLASH 是被擦除了的（也就是其值必須是 0XFFFF），否則無法寫入，在 FLASH_SR 寄存器的 PGERR 位將得到一個警告。 STM32 的閃存擦除分爲兩種：頁擦除和整片擦除。 也就是其最小擦除單位爲1頁，儘管你只需往某頁裏寫10個字節數據或者更少的數據，你也必須先擦除該頁（2*1024個字節）。我們這裏使用按頁擦除，固件庫中按頁擦除的函數爲：
FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);
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其返回值爲枚舉：
typedef enum
{
FLASH_BUSY = 1, /* 忙 */
FLASH_ERROR_PG, /* 編程錯誤 */
FLASH_ERROR_WRP, /* 寫保護錯誤 */
FLASH_COMPLETE, /* 操作完成 */
FLASH_TIMEOUT /* 操作超時 */
}FLASH_Status;
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（3）往上一步擦寫成功的頁寫入數據
STM32 閃存的編程每次必須寫入16 位。雖然固件庫中有如下三個寫操作的函數：
FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);
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分別爲按字（32bit）寫入、按半字（16bit）寫入、按字節（8bit）寫入函數。32 位字節寫入實際上是寫入的兩次 16 位數據，寫完第一次後地址+2，這與我們前面講解的 STM32 閃存的編程每次必須寫入 16 位並不矛盾。 寫入 8
位實際也是佔用的兩個地址了，跟寫入 16 位基本上沒啥區別。
（4）寫入操作完成後進行上鎖操作
對FLASH進行寫操作完成後要進行上鎖操作，對應的固件庫中函數爲：
void FLASH_Lock(void);
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（5）讀出數據
固件庫中並沒有與讀操作的函數。讀操作其實就是讀取FLASH某個地址的數據。
（6）對比寫入的數據與讀出的數據是否相等
最後對比我們寫入的數據與讀出的數據是否完全一致，若一致則表明讀寫測試成功，否則失敗。
程序執行結果：
======006
可見，讀出的數據與寫入的數據一致，表明讀寫測試成功。
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