#NodeMCU# #PlatformIO#或#Arduino IDE#
能規避 lvgl+TFT_eSPI 經典編譯錯誤（如下所示）的點不多。
Linking .pio\build\nodemcu\firmware.elfld.exe: address 0x3fffd538 of .pio\build\nodemcu\firmware.elf section `.bss' is not within region `dram0_0_seg'collect2.exe: error: ld returned 1 exit status*** [.pio\build\nodemcu\firmware.elf] Error 1
因爲我們在源碼上能做的事情不多：
（1）在 lvgl 庫的 lv_conf.h 中將這個自定義內存分配標誌
/* 1: use custom malloc/free, 0: use the built-in `lv_mem_alloc` and `lv_mem_free` */
#define LV_MEM_CUSTOM 0從0改爲1。
（2）在 TFT_eSPI 庫的 User_Setup.h 裏，選完 driver 之後，再選擇如下屏幕設置選項的其中之一
//#define ST7735_GREENTAB
//#define ST7735_GREENTAB2
//#define ST7735_GREENTAB3
#define ST7735_GREENTAB128 // For 128 x 128 display（3）在 TFT_eSPI 庫的 User_Setup.h 裏，關閉下面的宏定義，不使用SPIFFS：
// Comment out the #define below to stop the SPIFFS filing system and smooth font code being loaded
// this will save ~20kbytes of FLASH
#define SMOOTH_FONT同樣，在與 driver 對應的 Setup7_ST7735_128x128.h 裏，註釋掉下面的宏定義：
#define SMOOTH_FONT//註釋掉，避免spiffs-deprecation-warning（4）在 platformio.ini 中增加一條編譯選項，表明開發板有 PSRAM 可用：
build_flags = -D BOARD_HAS_PSRAM小結：
實驗證明，宏定義 LV_MEM_CUSTOM 從 0 改爲 1，對 LVGL+TFT_eSPI 編譯時不再提示
“section `.rodata' will not fit in region `dram0_0_seg'”
或
“section `.bss' is not within region `dram0_0_seg'”錯誤，有關鍵性幫助。這時 lvlg 將使用 stdlib.h 頭文件內的函數進行內存分配，從而可以充分使用到 SRAM 和 PSRAM 的內存。
這種錯誤說白了就是，編譯出來的數據量太大，DRAM 放不下了。我們知道，代碼被分爲許多個section，常見的如：
.bss
.text
.rodata
.data
可以簡單理解爲，IRAM 是用來存放指令的，而 DRAM 用來存放數據的。
如下圖所示， ESP32 內部存儲器（SRAM）有 3 個存儲塊 SRAM0、SRAM1 和SRAM2。
SRAM 以兩種方式使用：一種用於指令存儲，稱爲 IRAM（用於執行代碼，text 段），另一種用於數據存儲，稱爲 DRAM（用作 .bss 段，.data 段和堆）。SRAM0 和 SRAM1 可以用作連續的 IRAM，而 SRAM1 和 SRAM2 可以用作連續的 DRAM 地址空間。
圖1 ESP32 SRAM 佈局
編譯報錯的地址段“address 0x3fffd538”就落在上圖中的 DRAM 中。
我們再來看一下 DRAM 的內存佈局，如下圖所示。
圖2 DRAM 佈局
上圖顯示了應用程序的典型（簡化）DRAM 佈局。由於 DRAM 地址從 SRAM2 的末尾開始，並向後增加，因此鏈接階段空間的分配從 SRAM2 的末尾開始。
- 前 8KB（0x3FFA_E000–0x3FFA_FFFF）用作某些 ROM 內置函數的數據空間；
- 鏈接器緊接着將已初始化的數據段放在第一個 8KB 存儲器之後；
- 接下來是未初始化的 .bss 段；
- 數據段和 .bss 段之後剩餘的內存被配置爲堆，典型的動態內存分配一般分配至該位置。
所以，數據段和 .bss 段的大小取決於應用程序，lvgl 的編譯錯誤就發生於此。
參考資源：