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【Swift：高級架構、流水線深度、內存延遲】
根據之前的發現，以及其它一些資料，Swift的高級架構應該是這個樣子。雖然只是象徵性的，不同單元的分佈位置誰也不清楚，但總體應該差不了多少。 
對比Cortex-A9： 
Swift的前端從2寬度升級爲3寬度，仍舊是個相對很小的亂序核心，但執行端口從3個增加到5個。注意專用的載入與存儲單元，可能是浮點性能驟增的原因之一。
我們知道，高通Krait也是人家自己設計的CPU核心，但高通不肯公佈任何具體資料。它也是類似的3寬度前端，但是7個執行單元只有4個端口，不過具體分佈就不知道了。Intel Haswell發佈前九個月就敢公開整數和浮點寄存器文件，高通的都出貨半年了卻連高級架構都不肯透露一點！
Cortex-A15的前端也是3寬度，號稱拾取帶寬比Cortex-A9翻番，還可以亂序執行更多類型的指令，並使用3個獨立的發射池(issue pool)來滿足8個獨立的流水線，包括載入與存儲、兩個整數ALU、兩個浮點/NEON、一個分支、一個乘除法。
Swift比它肯定要差多了，更可能和Krait處在類似的水平上。 
流水線深度方面，Cortex-A8是13級，Cortex-A9精簡爲8級但頻率基本不變(所以性能更突出)，Cortex-A15則又加深到15級，高通Krait定製的是11級，順便說Intel Atom擁有最深的16級。
Swift是多少呢？Anand Shimpi又寫了兩種不同的代碼路徑，分別有簡單可預測的分支和複雜難預測的分支，最後以主代碼循環的時鐘週期衡量延遲。 
無論簡單還是複雜預測，Swift都和Cortex-A8差不多，但是要比Cortex-A9長很多，證明Swift的預測錯誤要比Cortex-A9多了大約50％，但是和Cortex-A8基本一致，複雜的稍多一點。據此猜測，Swift的流水線可能是12級的，跟高通Krait很接近。
但是儘管流水線深度加大了，蘋果依然保住了IPC，從前邊的Geekbench 2對比數據就可以看出來。應該是分支預測精度有了大幅度的改進，這也是加深流水線深度的時候芯片設計師必須注意的問題。蘋果做得很好。
最後是內存延遲。iPhone 5性能測試顯示了CPU核心內存帶寬的大幅提升，但既然外部位寬仍是64-bit，所有這些改變肯定來自內部的緩存和內存控制器。繼續自己寫代碼測試。 
無論何種尺寸，Swift的延遲都是最低的，只不過4-16KB左右的時候差距不大。超過32KB(一級數據緩存容量)之後，Swift的優勢就凸顯出來了(Cortex-A8有256KB二級緩存所以有延遲增加很快)。這與其它iOS內存測試表現相符合。
低得多的內存延遲再配合專用的載入與存儲端口，iPhone 5的內存性能相比iPhone 4S可以提升2.5-3.2倍。