ARM中位寬和存儲器問題

  存儲器的位寬指的是每一次讀取存儲器所返回地位數,常有的有8,16,32,64位,存儲器的位寬將直接影響
存儲器整體性能和成本。
   如果你有一個非高速緩衝的32位ARM處理器和16位的存儲器芯片,那麼處理器執行一條指令需要在存儲器中讀取兩次,每次讀取要求二次16位的數據讀取,這將很大程度上影響處理器的性能。但是優點就是16位存儲器比較便宜。
  相反,如果如何內核處理16位Thumb指令,試用Thumb指令處理16位存儲器更加高效,高效的原因是處理器只需要對存儲器進行一次讀取,因此對16位處理器使用Thumb指令既快速又性價比高。表1.1總結了在不同帶寬存儲器下的ARM處理器的理論週期時間。
  表1.1從存儲器中讀取指令
  
  應用於嵌入式設備的存儲器類型很多,下面分別介紹:
  1:ROM(Read-only memory )是最小靈活性的存儲器,因爲它不能再編程。ROM一般使用在大容量的設備,一般用在不用更新和重新燒錄的設備中,許多設備也使用ROM來存儲啓動代碼。
  
表1.1 

指令大小 8位存儲器 16位存儲器 32位存儲器
ARM32位 4個週期 2個週期 1個週期
Thumb16位 2個週期 2個週期 1個週期

  flash ROM能讀和寫,但是它的寫的速度很慢所以不能用來作爲動態數據存儲,他主要用於存儲硬盤固件和斷電保存的長期數據。FlashROM的讀寫課完全使用程序完成,而不需要額外硬件,所以它降低了製造成本。FlashROM被廣泛應用於只讀數據類型中,是當前數據存儲的首要選擇,DRAM是用於設備RAM中最爲廣泛的存儲器。它比其他RAM價格更加低廉,DRAM是動態的,它需要存儲單元刷新和每毫秒爲其充電,所以在使用DRAM之前需要建立控制器,SRAM比傳統的DRAM更快,但是要求更多的硅面積。SRAM是靜態的,所以不需要刷新,SRAM的讀取時間比DRAM短,因爲SRAM在數據傳輸時不需要暫停。由於SRAM價格高,所以它用於高速任務,例如快速存儲器和緩存。
  SDRAM同步動態存儲器是DRAM的一個子分類,它的運行時鐘要高於普通存儲器。SDRAM時鐘與處理器同步因爲它的時鐘接在處理器的總線上。內部數據在存儲單元和信道上面被讀取最後被帶出總線。

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