stm8L15x EEPORM學習筆記

 當我們在板級初始化的時候，要初始化eeporm，那麼eeprom裏存放了什麼呢？它和flash有什麼區別呢？？

這是我在網上找到的答案：《EEPROM和flash的區別》https://blog.csdn.net/yuanlulu/article/details/6163106

 

之前對各種存儲器一直不太清楚，今天總結一下。存儲器分爲兩大類：ram和rom。ram就不講了，今天主要討論rom。

ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。ROM在系統停止供電的時候仍然可以保持數據，而RAM通常都是在掉電之後就丟失數據，典型的RAM就是計算機的內存。

 

RAM有兩大類，一種稱爲靜態RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲設備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩衝，二級緩衝。另一種稱爲動態RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留數據的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機內存就是DRAM的。

 

DRAM分爲很多種，常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，這裏介紹其中的一種DDR RAM。

 

DDR RAM(Date-Rate RAM)也稱作DDR SDRAM，這種改進型的RAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在於它可以在一個時鐘讀寫兩次數據，這樣就使得數據傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內存，而且它有着成本優勢，事實上擊敗了Intel的另外一種內存標準-Rambus DRAM。在很多高端的顯卡上，也配備了高速DDR RAM來提高帶寬，這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

ROM也有很多種，PROM是可編程的ROM，PROM和EPROM(可擦除可編程ROM)兩者區別是，PROM是一次性的，也就是軟件灌入後，就無法修改了，這種是早期的產品，現在已經不可能使用了，而EPROM是通過紫外光的照射擦出原先的程序，是一種通用的存儲器。另外一種EEPROM是通過電子擦出，價格很高，寫入時間很長，寫入很慢。

 

FLASH存儲器又稱閃存，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程(EEPROM)的性能，還不會斷電丟失數據同時可以快速讀取數據(NVRAM的優勢)，U盤和MP3裏用的就是這種存儲器。在過去的20年裏，嵌入式系統一直使用ROM(EPROM)作爲它們的存儲設備，然而近年來Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系統中的地位，用作存儲Bootloader以及操作系統或者程序代碼或者直接當硬盤使用(U盤)。

 

rom最初不能編程，出廠什麼內容就永遠什麼內容，不靈活。後來出現了prom，可以自己寫入一次，要是寫錯了，只能換一片，自認倒黴。人類文明不斷進步，終於出現了可多次擦除寫入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下，想一下你往單片機上下了一個程序之後發現有個地方需要加一句話，爲此你要把單片機放紫外燈下照半小時，然後才能再下一次，這麼折騰一天也改不了幾次。歷史的車輪不斷前進，偉大的EEPROM出現了，拯救了一大批程序員，終於可以隨意的修改rom中的內容了。

 

EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對於紫外擦除的rom來講的。但是今天已經存在多種EEPROM的變種，變成了一類存儲器的統稱。

 

狹義的EEPROM：

這種rom的特點是可以隨機訪問和修改任何一個字節，可以往每個bit中寫入0或者1。這是最傳統的一種EEPROM，掉電後數據不丟失，可以保存100年，可以擦寫100w次。具有較高的可靠性，但是電路複雜/成本也高。因此目前的EEPROM都是幾十千字節到幾百千字節的，絕少有超過512K的。

 

flash:

flash屬於廣義的EEPROM，因爲它也是電擦除的rom。但是爲了區別於一般的按字節爲單位的擦寫的EEPROM，我們都叫它flash。

flash做的改進就是擦除時不再以字節爲單位，而是以塊爲單位，一次簡化了電路，數據密度更高，降低了成本。上M的rom一般都是flash。

 

flash分爲nor flash和nand flash。nor flash數據線和地址線分開，可以實現ram一樣的隨機尋址功能，可以讀取任何一個字節。但是擦除仍要按塊來擦。

nand flash同樣是按塊擦除，但是數據線和地址線複用，不能利用地址線隨機尋址。讀取只能按頁來讀取。（nandflash按塊來擦除，按頁來讀，norflash沒有頁）

由於nandflash引腳上覆用，因此讀取速度比nor flash慢一點，但是擦除和寫入速度比nor flash快很多。nand flash內部電路更簡單，因此數據密度大，體積小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash多是nor型的。

使用壽命上，nand flash的擦除次數是nor的數倍。而且nand flash可以標記壞塊，從而使軟件跳過壞塊。nor flash 一旦損壞便無法再用。

 

因爲nor flash可以進行字節尋址，所以程序可以在nor flash中運行。嵌入式系統多用一個小容量的nor flash存儲引導代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統和內核。

 

 

void FLASH_Unlock(FLASH_MemType_TypeDef FLASH_MemType)
{
  /* Check parameter */
  assert_param(IS_FLASH_MEMORY_TYPE(FLASH_MemType));
  
  /* Unlock program memory */
  if(FLASH_MemType == FLASH_MemType_Program)
  {
    FLASH->PUKR = FLASH_RASS_KEY1;
    FLASH->PUKR = FLASH_RASS_KEY2;
  }
  

位7：4	保留，必須爲0
位3	EEPM:Flash程序和數據EEPROM IDDQ模式選擇在運行期間，低功耗運行、低功率等模式 0:EEPM在一個Flash程序或數據EEPROM存儲器之後被硬件清除訪問。通過軟件清除這一點不會從IDDQ模式中退出內存。 1：當代碼從RAM中執行時，EEPM位force程序的設置數據EEPROM進入IDDQ模式。 當代碼從程序Flash中執行時，這個位不能被設置。Flash程序和數據EEPROM保持在IDDQ模式下直到下一個Flash程序或數據EEPROM作爲訪問。參考第81頁的低功率運行模式。
位2	WAITM等待模式：Flash程序和數據EEPROM IDDQ模式在等待模式下這部分是由軟件設置和清除的。 0：當設備處於等待模式時，Flash程序和數據EEPROM不在IDDQ模式下 1：當設備處於等待模式時，在IDDQ模式下的Flash程序和數據EEPROM。
位1	IE:Flash中斷啓用這部分是由軟件設置和清除的 0:中斷禁用 1:啓用中斷。如果EOP或wrpgdis標誌在
位0	FIX：固定字節編程時間這部分是由軟件設置和清除的。 0：如果內存已經被擦除和tprog，標準的編程時間（1/2 tprog） 1：在tprog中固定的編程時間。

位7	OPT：寫選項字節，這部分是由軟件設置和清除的。 0：對禁用選項的寫入權限 1：啓用啓用選項字節的訪問
位6	第6位WPRG：文字編程這個位是由軟件設置的，當操作完成時由硬件清除。 0：程序操作禁用 1：啓用Word程序操作
位5	ERASE：塊擦除這個位是由軟件設置的，當操作完成時由硬件清除。 0：塊清除操作禁用 1：啓用塊擦除操作
位4	FPRG：快速塊編程這個位是由軟件設置的，當操作完成時由硬件清除。 0：快速塊程序操作禁用 1：啓用快速塊程序操作
位3：1	保留
位0	PRG，標準塊編程，這個位是由軟件設置的，當操作完成時由硬件清除。

 

位7:0 DUK 7:0：數據EEPROM寫解鎖鍵   這個字節是由軟件（所有模式）編寫的。它在讀取時返回0x00。

 

 

位7	保留
位6	HVOFF：高電壓標誌的結束，這部分是由硬件設置和清除的。 0:HV，開始實際的編程 1:HV OFF，高電壓結束
位5:4	保留
位3	DUL：數據EEPROM區域無鎖標誌，這個比特是由硬件設置的，通過編程將其編程爲0。 0：數據EEPROM區域寫入保護 1：數據EEPROM區域寫保護已被寫入正確的質量鍵
位2	EOP：編程結束（寫或擦操作）標誌這部分是由硬件設置的。它通過讀取寄存器或新版本的軟件來清除。 寫/擦除操作開始。 0：沒有發生EOP事件 1：發生了EOP操作。如果IE位被設置爲in，則會產生中斷 FLASH_CR1登記。
位1	PUL:Flash程序內存解鎖標誌這個比特是由硬件設置的，通過編程將其編程爲0。 0：啓用主程序區域的保護 1：編寫正確的質量，使主程序區域的保護失效。 鑰匙。
位0	wrpgdis：嘗試保護頁面標記，這個比特是由硬件設置的，通過讀取寄存器來清除軟件。 0：沒有wrpgdis事件發生 1：發生寫保護頁面的嘗試。如果IE比特出現了中斷 設置在flashcr1寄存器中。

Flash register map and reset values

Flash寄存器映射和重置值

 

 

  

FlagStatus FLASH_GetFlagStatus(FLASH_FLAG_TypeDef FLASH_FLAG)
{
  FlagStatus status = RESET;
  assert_param(IS_FLASH_FLAGS(FLASH_FLAG));
  
  /* Check the status of the specified flash flag*/
  if((FLASH->IAPSR  & (uint8_t)FLASH_FLAG) != (uint8_t)RESET)
  {
    status = SET; /* Flash_FLAG is set*/
  }
  else
  {
    status = RESET; /* Flash_FLAG is reset*/
  }
  
  /* Return the Flash_FLAG status*/
  return status;
}