圖示爲實驗室模擬過電壓測試環境。採集卡(250MS/s 1ch 12bit)放置在等電位箱體內,敞開放置。高壓放電經高壓衰減器接入,採集卡設置爲高阻輸入,採用電池供電。量化後的數據由光纖經光交換機傳至上位機。
設置採樣率250MSps,觸發採集長度500ms,預觸發長度50ms,得到波形:
第一次放電脈衝局部放大圖:
具體方案可諮詢熠新科技
圖示爲實驗室模擬過電壓測試環境。採集卡(250MS/s 1ch 12bit)放置在等電位箱體內,敞開放置。高壓放電經高壓衰減器接入,採集卡設置爲高阻輸入,採用電池供電。量化後的數據由光纖經光交換機傳至上位機。
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public static class TypeUtil { public static Type? GetType(string assemblyName, string typePath)
安卓10以下存儲: 1 /** 2 * 子線程中處理拷貝數據,耗時操作 3 */ 4 private Thread thread = new Thread(new Runnable() { 5
https://blog.csdn.net/qq_22744093/article/details/132684128