SDRAM Calculation of capacity
Calculate the number of addressable locations (don’t think of bit/byte/word for now)
Number of address lines: 11 (A0-A10)
Number of banks : 2 (BA0-BA1)
Max number of rows = 11 (i.e., no. of address lines)
Max number of columns = 11 (i.e., no. of address lines)
Total locations in a bank = 211x 211
Total locations in the chip = (No. of banks) x (Total locations in a bank)
= 22 x 211 x 211
= 224
(摘自http://blog.minmanpro.com/2006/11/sdram-calculation-of-capacity.html)
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簡單翻譯如下:
SDRAM容量計算
計算可尋址單元的數量(不考慮位/字節/字)
地址線數(管腳數):11(A0-A10)
bank線數:2(BA0-BA1)
最大行線數=11(例如地址線的編號)
最大列線數=11(例如地址線的編號)
一個bank中總單元數=211x 211
芯片中總單元數=(bank個數)×(一個bank中總單元數)
= 22 x 211 x 211
= 224
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例如一個32MB的SDRAM芯片中有4個Logic-bank(邏輯bank),位寬16bit(即每個單元是16bits),地址線13條,最大行線數13,最大列線數9。計算得:
一個bank的單元數= 213 x 29= 4194304(即4M)。
芯片總單元數=4Banks × 4M units = 16M units 。
芯片總位數=16M units × 16bits/per_unit = 256M bits 。
芯片總字節數=256M bits/8 = 32M Bytes 。
對應其pdf手冊裏的“4Banks x 4M x 16Bit”。
因爲行線與列線上傳輸的數據是經過編碼的,而不是直接的行號和列號,
也就是說每個bank裏有213 個行和 29 個列,並非只有13行和9列。
所以要尋址的單元在第(2行線數據 )行,第( 2列線數據)列。
例如bank0,行線數據是0 0000 0010 0000,列線數據是0 0000 1000,
意思是要獲取行32,列8的單元的數據,而不是行5,列3的數據。
如果行線數據是 0 0010 1101 0110,列線數據是0 0011 1010,意思是獲取行726,列58的單元的數據。