STM32F4Discovery開發幫使用的STM32F407VGT6芯片，內部FLASH有1M之多。平時寫的代碼，燒寫完之後還有大量的剩餘。有效利用這剩餘的FLASH能存儲不少數據。因此研究了一下STM32F4讀寫內部FLASH的一些操作。
【STM32F4 內部Flash的一些信息】
STM32F407VG的內部FLASH的地址是：0x08000000，大小是0x00100000。
寫FLASH的時候，如果發現寫入地址的FLASH沒有被擦出，數據將不會寫入。FLASH的擦除操作，只能按Sector進行。不能單獨擦除一個地址上的數據。因此在寫數據之前需要將地址所在Sector的所有數據擦除。
在STM32F4的編程手冊上可找到FLASH的Sector劃分，我們現在只操作Main memory：
參考Demo中的例子，將FLASH的頁的其實地址（基地址）可定義如下：
/* Base address of the Flash sectors */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((uint32_t)0x08000000) /* Base @ of Sector 0, 16 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((uint32_t)0x08004000) /* Base @ of Sector 1, 16 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((uint32_t)0x08008000) /* Base @ of Sector 2, 16 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_3 ((uint32_t)0x0800C000) /* Base @ of Sector 3, 16 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_4 ((uint32_t)0x08010000) /* Base @ of Sector 4, 64 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_5 ((uint32_t)0x08020000) /* Base @ of Sector 5, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_6 ((uint32_t)0x08040000) /* Base @ of Sector 6, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_7 ((uint32_t)0x08060000) /* Base @ of Sector 7, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_8 ((uint32_t)0x08080000) /* Base @ of Sector 8, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_9 ((uint32_t)0x080A0000) /* Base @ of Sector 9, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_10 ((uint32_t)0x080C0000) /* Base @ of Sector 10, 128 Kbytes */
#define ADDR_FLASH_SECTOR_11 ((uint32_t)0x080E0000) /* Base @ of Sector 11, 128 Kbytes */
在庫裏邊，FLASH的Sector編號定義如下，這是供庫裏邊的幾個函數使用的。需要將地址轉換成Sector編號：
#define FLASH_Sector_0 ((uint16_t)0x0000) /*!< Sector Number 0 */
#define FLASH_Sector_1 ((uint16_t)0x0008) /*!< Sector Number 1 */
#define FLASH_Sector_2 ((uint16_t)0x0010) /*!< Sector Number 2 */
#define FLASH_Sector_3 ((uint16_t)0x0018) /*!< Sector Number 3 */
#define FLASH_Sector_4 ((uint16_t)0x0020) /*!< Sector Number 4 */
#define FLASH_Sector_5 ((uint16_t)0x0028) /*!< Sector Number 5 */
#define FLASH_Sector_6 ((uint16_t)0x0030) /*!< Sector Number 6 */
#define FLASH_Sector_7 ((uint16_t)0x0038) /*!< Sector Number 7 */
#define FLASH_Sector_8 ((uint16_t)0x0040) /*!< Sector Number 8 */
#define FLASH_Sector_9 ((uint16_t)0x0048) /*!< Sector Number 9 */
#define FLASH_Sector_10 ((uint16_t)0x0050) /*!< Sector Number 10 */
#define FLASH_Sector_11 ((uint16_t)0x0058) /*!< Sector Number 11 */
Demo中有將地址轉換成Sector的代碼：
uint32_t GetSector(uint32_t Address)
{
uint32_t sector = 0;
if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_1) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_0))
{
sector = FLASH_Sector_0;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_2) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_1))
{
sector = FLASH_Sector_1;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_3) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_2))
{
sector = FLASH_Sector_2;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_4) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_3))
{
sector = FLASH_Sector_3;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_5) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_4))
{
sector = FLASH_Sector_4;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_6) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_5))
{
sector = FLASH_Sector_5;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_7) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_6))
{
sector = FLASH_Sector_6;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_8) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_7))
{
sector = FLASH_Sector_7;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_9) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_8))
{
sector = FLASH_Sector_8;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_10) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_9))
{
sector = FLASH_Sector_9;
}
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_11) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_10))
{
sector = FLASH_Sector_10;
}
else/*(Address < FLASH_END_ADDR) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_11))*/
{
sector = FLASH_Sector_11;
}
return sector;
}
有了這些定義之後，我們就可以開始正式操作FLASH了
首先，要向FLASH寫入數據需要先將FLASH解鎖。根據手冊定義，解鎖FLASH需要先向寄存器FLASH_KEYR寫入0x45670123之後再向這個寄存器寫入0xCDEF89AB。這兩個數據在庫中已經定義成了：FLASH_KEY1和FLASH_KEY2.
使用庫函數不用這麼麻煩，函數FLASH_Unlock()即可完成對FLASH的解鎖。
解鎖FLASH之後，使用函數FLASH_ClearFlag清除FLASH的狀態寄存器。然後就可以對FLASH進行寫操作了。我按照示例工程，擦除兩塊FLASH。
下邊是操作FLASH的代碼，首先擦除兩塊FLASH，然後向這兩塊FLASH中寫入數據。最後進行校驗：
要寫入的數據定義：
#define DATA_32 ((uint32_t)0x12345678)
開始FLASH操作：
FLASH_Unlock(); //解鎖FLASH後才能向FLASH中寫數據。
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR |
FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR|FLASH_FLAG_PGSERR);
/* Get the number of the start and end sectors */
StartSector = GetSector(FLASH_USER_START_ADDR); //獲取FLASH的Sector編號
EndSector = GetSector(FLASH_USER_END_ADDR);
//擦除FLASH
for (i = StartSector; i < EndSector; i += 8) //每次FLASH編號增加8，可參考上邊FLASH Sector的定義。
{
/* Device voltage range supposed to be [2.7V to 3.6V], the operation will
be done by word */
if (FLASH_EraseSector(i, VoltageRange_3) != FLASH_COMPLETE)
{
while (1)
{
}
}
}
/*擦除完畢*/
/*開始寫入*/
Address = FLASH_USER_START_ADDR;
while (Address < FLASH_USER_END_ADDR)
{
if (FLASH_ProgramWord(Address, DATA_32) == FLASH_COMPLETE) //將DATA_32寫入相應的地址。
{
Address = Address + 4;
}
else
{
/* Error occurred while writing data in Flash memory.
User can add here some code to deal with this error */
while (1)
{
}
}
}
FLASH_Lock(); //讀FLASH不需要FLASH處於解鎖狀態。
//讀出數據 檢查寫入值是否正確
Address = FLASH_USER_START_ADDR;
MemoryProgramStatus = 0x0;
while (Address < FLASH_USER_END_ADDR)
{
data32 = *(__IO uint32_t*)Address; //讀FLASH中的數據，直接給出地址就行了。跟從內存中讀數據一樣。
if (data32 != DATA_32)
{
MemoryProgramStatus++;
}
Address = Address + 4;
}
下邊是使用STLink Utility讀出的數據，檢查一下，確實寫進去數據了：
參考文檔是ST的 STM32F40xxx and STM32F41xxx Flash programming manual。可在ST網站下載。文檔編號：PM0081。FLASH的有不少寄存器，各個含義手冊上有詳細介紹。我只是簡單地看了下。使用庫函數操作，好像不大需要詳細理解這些寄存器了。
PS：這個實驗主要代碼來自ST的Demo。這裏我只是加入了個人的註釋。不當之處，望高人指點。