FLASH閃存 的英文名稱是"Flash Memory"，一般簡稱爲"Flash"，它屬於內存器件的一種。 不過閃存的物理特性與常見的內存有根本性的差異： 目前各類 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都屬於揮發性內存，只要停止電流供應內存中的數據便無法保持，因此每次電腦開機都需要把數據重新載入內存。
閃存則是一種不揮發性（ Non-Volatile ）內存，在沒有電流供應的條件下也能夠長久地保持數據，其存儲特性相當於硬盤，這項特性正是閃存得以成爲各類便攜型數字設備的存儲介質的基礎。
現在市場上兩種主要的非易失閃存技術：sNOR型閃存和NAND型閃存。
[原理]
經典物理學認爲，物體越過勢壘，有一閾值能量；粒子能量小於此能量則不能越過，大於此能量則可以越過。例如騎自行車過小坡，先用力騎，如果坡很低，不蹬自行車也能靠慣性過去。如果坡很高，不蹬自行車，車到一半就停住，然後退回去。
量子力學則認爲，即使粒子能量小於閾值能量，很多粒子衝向勢壘，一部分粒子反彈，還會有一些粒子能過去，好象有一個隧道，稱作“量子隧道（quantum tunneling）”。
可見，宏觀上的確定性在微觀上往往就具有不確定性。雖然在通常的情況下，隧道效應並不影響經典的宏觀效應，因爲隧穿機率極小，但在某些特丁的條件下宏觀的隧道效應也會出現。
1957年，受僱於索尼公司的江崎玲於奈（Leo Esaki，1940～）在改良高頻晶體管2T7的過程中發現，當增加PN結兩端的電壓時電流反而減少，江崎玲於奈將這種反常的負電阻現象解釋爲隧道效應。此後，江崎利用這一效應制成了隧道二極管（也稱江崎二極管）。1960年，美裔挪威籍科學家加埃沃（Ivan Giaever，1929～）通過實驗證明了在超導體隧道結中存在單電子隧道效應。在此之前的1956年出現的“庫珀對”及BCS理論被公認爲是對超導現象的完美解釋，單電子隧道效應無疑是對超導理論的一個重要補充。1962年，年僅20歲的英國劍橋大學實驗物理學研究生約瑟夫森（Brian David Josephson，1940～）預言，當兩個超導體之間設置一個絕緣薄層構成SIS（Superconductor-Insulator-Superconductor）時，電子可以穿過絕緣體從一個超導體到達另一個超導體。約瑟夫森的這一預言不久就爲P.W.安德森和J.M.羅厄耳的實驗觀測所證實——電子對通過兩塊超導金屬間的薄絕緣層（厚度約爲10埃）時發生了隧道效應，於是稱之爲“約瑟夫森效應”。 宏觀量子隧道效應確立了微電子器件進一步微型化的極限，當微電子器件進一步微型化時必須要考慮上述的量子效應。例如，在製造半導體集成電路時，當電路的尺寸接近電子波長時，電子就通過隧道效應而穿透絕緣層，使器件無法正常工作。因此，宏觀量子隧道效應已成爲微電子學、光電子學中的重要理論。
閃存的存儲單元爲三端器件，與場效應管有相同的名稱：源極、漏極和柵極。柵極與硅襯底之間有二氧化硅絕緣層，用來保護浮置柵極中的電荷不會泄漏。採用這種結構，使得存儲單元具有了電荷保持能力，就像是裝進瓶子裏的水，當你倒入水後，水位就一直保持在那裏，直到你再次倒入或倒出，所以閃存具有記憶能力。 與場效應管一樣，閃存也是一種電壓控制型器件。NAND型閃存的擦和寫均是基於隧道效應，電流穿過浮置柵極與硅基層之間的絕緣層，對浮置柵極進行充電（寫數據）或放電（擦除數據）。而NOR型閃存擦除數據仍是基於隧道效應（電流從浮置柵極到硅基層），但在寫入數據時則是採用熱電子注入方式（電流從浮置柵極到源極）。場效應管工作原理場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電，因此稱爲雙極型晶體管，而FET僅是由多數載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱爲單極型晶體管。它屬於電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成爲雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。