一個基本的Senario包括PVT三個要素。
P Process是指Fab在生產過程中工藝、機臺等的差異導致芯片的偏差。分爲TT SS FF FS SF等這幾類情況。
SS：slow NMOS and Slow PMOS
FF：Fast NMOS and Fast PMOS
其餘的類推，這裏的slow和fast指的是載流子遷移的速度。可以通俗的理解爲Fast表示芯片速度快。
V Voltage 指得是芯片的工作電壓。例如tt電壓爲1V ss的電壓就是0.9V ff的電壓就是1.1V
T Temperature 是指芯片工作的溫度。例如tt的溫度是0℃ or 25℃。高溫就是125℃ 低溫一般爲-40℃
此外有些Senario還包括其他的工作狀態，如DFT mode or Function mode。RC coner，如Cbest RC worst etc。
PVT三者相互組合就形成了如下的Senario。對應的解釋如下。
WC：worst case slow，低電壓，高溫度，慢工藝 -> 一般情況下delay最大，setup 差。
WCL：worst case low-temperature，低電壓，低溫度，慢工藝 -> 溫度反轉效應時delay最大，setup差。
LT：即low-temperature，也叫bc（best case fast），高電壓，低溫度，快工藝 -> 一般情況下delay最小，hold差。
ML：max-leakage，高電壓，高溫度，快工藝 -> 溫度反轉效應下delay最小，hold差。
TC：typical，也叫tt，普通電壓，普通溫度，標準工藝 -> 各種typical。
BC：Best case。高電壓，快工藝，常溫0℃ or 25℃。