最近想換5G手機的小夥伴，估計都會看到廠商會標明UFS3.0和LPDDR5這些芯片，很多業界人士稱這兩個是5G時代的標配。但是很多人理不清這些規格的區別，這樣購買手機的時候很容易吃虧，今天這篇文章就帶大家弄懂這些名詞都是啥，這兩者又是怎麼影響你的手機使用的。 <br/>](https://s4.51cto.com/images/blog/202005/29/445bb0fcc608b055712cdc5cb45d9453.png)
宏旺半導體瞭解到，2011年，第一代通用閃存存儲（Universal Flash Storage）標準問世，即UFS。而UFS可以看做是替代eMMC的產物，無論是在性能還是速度上都全面領先eMMC。2013年UFS 2.0發佈，它的理論讀寫速度可以達到1400MB/s，而同時期的eMMC 5.0以及後來的5.1理論速度也才只有600MB/s。隨後，UFS 2.1、UFS 3.0、UFS 3.1相繼出現，屬於UFS的時代也全面到來。
SF3.0引入了HS-G4規範，單通道帶寬提升到11.6Gbps，是UFS 2.1性能的2倍。而由於UFS支持雙通道雙向讀寫，所以UFS 3.0的接口帶寬最高可達23.2Gbps，也就是2.9GB/s。因此宏旺半導體總結一下，UFS3.0 標準在傳輸速度上更快，功耗更低，更適合應用於5G手機上。而在實際操作中，這些優勢主要體現在多任務執行響應速度更快、玩遊戲的延遲更低畫面更流暢、照片寫入時間更短和帶來更佳的省電效果等方面。此外根據JEDEC文檔，相較於UFS 3.0，UFS 3.1的主要提升在於更高的寫入性能、更低的功耗及更穩定的性能管理。
UFS屬於閃存的一種，閃存即ROM，可以理解爲存儲卡，或者是電腦上的硬盤。它承擔的的是長期存儲數據的作用，我們日常產生的文件、照片、視頻都存在這裏。提到閃存，就不得不提到內存，手機內存，也就是RAM，它的作用是用於與CPU交換高速緩存數據，臨時存儲，快速讀寫是它的主要特點。
LPDDR內存全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM，即低功耗雙倍數據速率內存。日常使用時的加載遊戲、啓動應用的快慢都與其有關。可以說，最新標準LPDDR5內存是一次跨越性的升級換代，據悉其每秒可以傳送44GB數據，相比LPDDR4x速度提升50%，並且功耗還有下降20%，這個能力將對消除5G數據瓶頸將起到關鍵性的作用。
兩者對手機的影響也各有不同，UFS3.0相當於就是更快的硬盤；LPDDR5，則是更快的內存，一個應用要想運行，需要先從硬盤中讀取代碼和數據，操作系統將暫時不參與運行的數據和已經運算好的數據存放到內存中，等需要時再從內存中讀取提供給CPU使用，需要持久化存儲的數據會被寫入硬盤中所以，硬盤越快，程序運行越快（一般體現在啓動方面），內存越快，程序運行也越快（一般體現在運行時）。
宏旺半導體舉個簡單的例子，我們購買手機時常說的8+128 或者8+256前者8G內存是受LPDDR5 的影響，後者128G/256G存儲是受UFS 3.0的影響，這樣是不是就更好理解一點了？雖然LPDDR5被稱爲5G時代黑科技滿滿的手機“標配”，也有人說它和LPDDR4X 差不多，兩者的感知差異並不強。目前市場上主流的手機內存是LPDDR4/4X，LPDDR5是最新標準但普及還需要一定的時間。
宏旺半導體的LPDDR4X 卓越的高能效解決方案，電壓低至0.6V，在性能方面比 LPDDR4 更進一步，功耗大約降低了10-20%，有效地延長了電池壽命。 採用小型封裝，8GB的內存能滿足大多數超薄移動設備的容量空間要求，並具備高性能的多任務處理功能。同時，支持PoP堆疊封裝和獨立封裝，從智能手機、平板電腦，到車載電子、可穿戴設備等，LPDDR4X正在拓寬智能、移動設備的應用領域。