對於IGBT 電壓型功率器件，目前有多種帶保護和隔離的集成驅動芯片，如IR2110、EXB841、M57962 等，它們具有隔離驅動、電路參數一致性好、運行穩定的優點[2]。這些混合IC具有各自的特點，應用於不同的場合，也有一定的侷限性：
1）IR2110具有自舉能力，可以在驅動橋式電路時使用一組電源，但芯片與主電路的高壓直接相連，安全性較差[3]；
2）EXB841集成度較高，但針對不同開關頻率的保護調節不方便[4]；
3）M57962 驅動能力大，適用於大功率單管IGBT，但與EXB841一樣不能調節退飽和保護時間，並且動作速度太慢。
MC33153 是一款應用於中大功率的單個IGBT驅動芯片[1]，具有電流保護、器件退飽和保護以及欠壓保護功能，同時芯片可以靈活地設定退飽和保護的動作時間。在中大功率場合，MC33153的應用具有越來越廣闊的前景。
1 MC33153的結構
MC33153芯片內部結構框圖。其主要包括邏輯輸入、過流保護、短路保護、退飽和保護、欠電壓保護及推輓輸出等部分。
芯片的供電較爲靈活，既可以採用單電源供電，又可以採用正負電源供電，如果要在單電源的條件下實現IGBT的負電壓可靠關斷，可以在外圍設計分壓電路，最後得到VCC(+14.9V)，GND（0V），VE（E -5.1V）。於是驅動電路輸出的電平爲"1"———+14.9V；"0"———5.1V，保證了IGBT的可靠關斷。
MC33153的響應時間在同類產品之中較快，開通延時時間tPLH（信號自Input 傳輸到Output 的延時）和關斷延時時間tPHL較其餘各類集成驅動芯片一定有的優勢。
芯片的邏輯輸入部分採用施特密觸發電路，滯環寬度大於0.5V，大大提高電路的抗干擾能力。並且輸入邏輯與TTL/CMOS電平兼容，方便了電路設計。
對IGBT 的過流，芯片有兩種檢測方式，內部通過不同的模塊實現。一是過流保護，直接檢測流過IGBT的射極電流，這樣動作時間最快，不需要IGBT承受大的短路容量，但這種方式只適合於帶電流檢測輸出的IGBT，有很大的侷限性；另一種是退飽和保護，利用IGBT導通時工作在飽和區，集電極與射極上電壓VCE很小，當IGBT 發生過流時，器件退出飽和區，VCE迅速上升，超過芯片內部閾值，保護得以動作。這兩種保護一般只選用其中一種，爲使保護正常輸出，不使用的保護必須拉爲高電平（對腳1），或是通過電容接地（對腳8）。