BOOT
STM32採用ARM內核，和ARM處理器一樣，都有專門的boot腳決定單片機從何處啓動。
在官方數據手冊的第105頁，我們可以看到
系統復位後，在SYSTICK的第四個上升沿鎖存BOOT引腳的值，復位後，BOOT引腳可以由用戶自由配置而不會影響系統正常運行。
BOOT引腳決定了自舉存儲器地址，當BOOT腳爲0，也就是低電平，將默認從0x0800 0000啓動，也就是從主FLASH啓動。所以我們在BOOT腳上接一個下拉。
此處BOOT0對應芯片的第166腳。
外部時鐘電路
參考STM32H743官方中文版技術手冊第267頁，單片機有兩個外部振盪器：
參考正點原子核心板原理圖。
關於晶振電容的選取：原理上來說，直接將晶振接到單片機上，單片機就可以工作，但是這樣構成的振盪電路會產生諧波，這將降低時鐘的穩定性，所以建議在晶振兩個引腳處接入兩個瓷片電容接地。在許可範圍內，電容的容值越小越好，容值偏大雖然有利於振盪器的穩定性，但會增加起振時間，比較常用的容值大小在15p-30p。
工作良好的晶振應該產生漂亮的正弦波，峯峯值大於電源電壓的70%，若峯峯值小於70%可以適當減小晶振管腳的負載電容；反之，如果晶振產生波形的峯峯值接近電源電壓，並且震盪波形產生畸變則可適當增加負載電容。偶爾可以見到電路原理圖中晶振兩個管腳之間跨接電阻，這是爲了防止晶振被過分驅動。晶振過分驅動表現爲產生波形的波峯和波谷被削平，使產生的波形接近方波。長期工作在過分驅動狀態下的晶振會漸漸損耗減少晶振的接觸電鍍，引起震盪頻率上升。
更深入的內容可以參考:這裏
VREF+是單片機AD的參考電壓，可以通過一個低通濾波器後接到3.3V電源上。參考STM32H743中文版官方技術手冊在804頁有如下說明：
可以看到我們將VREF+直接接模擬電源正是完全可行的，但是注意參考電壓的輸入不得高於單片機的模擬供電電壓(VDDA)。VREF-已經內部接地。
這裏需要注意VDD是數字邏輯部分的電源，VDDA是模擬部分的電源。
調壓器外接電容
參考數據手冊的內容P109
在外部電容引腳跨接兩個2.2uF電容到地。
內部電源監視器
通過PDR_ON引腳電平進行控制使能/失能內部電源監視器。PDR_ON引腳電平爲低時，內部電源監視器關閉；當PDR_ON引腳電平爲高時，內部電源監視器使能。
內部電源監視器影響的功能包括：POR（上電覆位）、PDR（掉電覆位）、BOR（欠壓復位）、PVD（可編程電位檢測）、VBAT功能。其中，VBAT功能包括：維持後備寄存器/存儲器，爲RTC、LSE振盪器提供後備供電和維持其在掉電時工作。在供電穩定的情況下我們無需考慮太多，將引腳接VCC拉高即可。
電池電壓閾值監視
當我們不使用電池，直接將VBAT連接到VDD即可，最好加一個104(100nF)的電容。
復位電路
這裏採用官方數據手冊中的推薦復位電路，可以看到引腳已經內部上拉，不需要外部上拉電阻。單片機是低電平復位，低電平的定義如下表所示。
