注意每個字母代表的單詞
主要分爲ROM和RAM兩類，加了不同功能而已
ROM：(Read Only Memory)程序存儲器
只讀，永久存儲
在單片機中用來存儲程序數據及常量數據或變量數據，凡是c文件及h文件中所有代碼、全局變量、局部變量、’const’限定符定義的常量數據、startup.asm文件中的代碼(類似ARM中的bootloader或者X86中的BIOS，一些低端的單片機是沒有這個的)通通都存儲在ROM中。
RAM：(Random Access Memory)隨機訪問存儲器
掉電消失，可讀可寫
用來存儲程序中用到的變量。凡是整個程序中，所用到的需要被改寫的量，都存儲在RAM中，“被改變的量”包括全局變量、局部變量、堆棧段。數據是CPU寫入讀出的，不是人爲寫入的。
ROM是隻讀存儲器，CPU只能從裏面讀數據，而不能往裏面寫數據，掉電後數據依然保存在存儲器中；RAM是隨機存儲器，CPU既可以從裏面讀出數據，又可以往裏面寫入數據，掉電後數據不保存，這是條永恆的真理，始終記掛在心。
http://m.elecfans.com/article/622818.html
EEPROM
rom最初不能編程，出廠什麼內容就永遠什麼內容，不靈活。後來出現了prom，可以自己寫入一次，要是寫錯了，只能換一片，自認倒黴。人類文明不斷進步，終於出現了可多次擦除寫入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下，想一下你往單片機上下了一個程序之後發現有個地方需要加一句話，爲此你要把單片機放紫外燈下照半小時，然後才能再下一次，這麼折騰一天也改不了幾次。歷史的車輪不斷前進，偉大的EEPROM出現了，拯救了一大批程序員，終於可以隨意的修改rom中的內容了。
EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲器”
Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory
認識一下單詞
- E Electrically 用電的方式
- E Erasable 可擦寫的
- P Programmable 可編程的
- ROM
特點：
EEPROM容量都比較小，通常用來存儲一些小容量數據，例如系統的配置信息。像網卡的配置信息、PCI橋的配置信息都存儲在93C46之類的芯片中。這種存儲器一個比較好的特點是可以進行字節級編程，但是讀寫性能都很差。如果要進行大數據存儲，是不能採用此類芯片的。
FLASH（閃電）
Flash Memory(閃存)
rom和ram各有特點不可兼得，技術在進步，eeprom可以兼得了，但容量太小，速度也不快。於是技術又進步，出現了FLASH，都兼得了。
和EEPROM相比，Flash存儲芯片的一個特點是存儲容量大，並且以塊單元進行數據擦除操作，以Page頁的方式進行數據讀寫。該類芯片都採用IO接口的方式與CPU相連，即通過命令的方式進行讀寫、擦除操作。
它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，還不會斷電丟失數據同時可以快速讀取數據（NVRAM 的優勢），U盤和MP3裏用的就是這種存儲器。在過去的20年裏，嵌入式系統一直使用ROM（EPROM）作爲它們的存儲設備，然而近年來Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系統中的地位，用作存儲Bootloader以及操作系統或者程序代碼或者直接當硬盤使用（U盤）。
flash分爲nor flash和nand flash
nor flash
數據線和地址線分開，可以實現ram一樣的隨機尋址功能，可以讀取任何一個字節。但是擦除仍要按塊來擦。
nand flash
同樣是按塊擦除，但是數據線和地址線複用，不能利用地址線隨機尋址。讀取只能按頁來讀取。（nandflash按塊來擦除，按頁來讀，norflash沒有頁）
由於nandflash引腳上覆用，因此讀取速度比nor flash慢一點，但是擦除和寫入速度比nor flash快很多。nand flash內部電路更簡單，因此數據密度大，體積小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash多是nor型的。
使用壽命上，nand flash的擦除次數是nor的數倍。而且nand flash可以標記壞塊，從而使軟件跳過壞塊。nor flash 一旦損壞便無法再用。
因爲nor flash可以進行字節尋址，所以程序可以在nor flash中運行。嵌入式系統多用一個小容量的nor flash存儲引導代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統和內核。
SRAM 靜態存儲器
（Static Random-Access Memory，SRAM）
Static 靜態的
所謂的“靜態”，是指這種存儲器只要保持通電，裏面儲存的數據就可以恆常保持。
每個SRAM單元使用六晶體管電路(six-transistor circuit)和鎖存器(latch)存儲一個bit。(DRAM使用晶體管和電容器。)SRAM是易失性的，但如果系統通電，SRAM會保留存儲的數據而無需重複充電。它對電噪聲相當不敏感——電噪聲是會對所需信號產生干擾的，不需要的電信號。由於它比DRAM更快且成本更高，因此通常作爲CPU內存緩存或用於高端、高性能服務器運行。SRAM系統內存通常爲20-40ns(納秒)。
DRAM 動態隨機存取存儲器
（Dynamic Random Access Memory）
Dynamic 動態的
DRAM 只能將數據保持很短的時間。爲了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。
每個DRAM單元使用一個晶體管另加一個電容器來存儲一個bit，因此DRAM具有非常高的密度。像SRAM一樣，DRAM也是易失性的。但與SRAM不同，DRAM每個單元必須週期性地進行刷新(預充電)，因爲電容器不可避免地存在漏電現象。它對電噪聲很敏感。DRAM速度通常在60ns到100ns之間——仍然很快，但比SRAM慢。一般速度爲20-40GB / s，連續的單元充電，使DRAM比SRAM具有更高的時延和帶寬延遲。
SRAM和DRAM組成的器件數量差別，造成了價格的差異
https://blog.csdn.net/qq_17753903/article/details/82895415
DRAM一般用作計算機中的主存儲器，即內存條。
SRAM一般用來作爲計算機中的告訴緩衝存儲器，即CPU或GPU中的Cache。
又在此基礎上發展出其他的存儲器
SDRAM——同步DRAM(SDRAM)是一種與CPU的時鐘週期同步的DRAM，因此存儲器的控制器確切地知道所請求的數據何時可以訪問。這減少了訪問時間並提高了內存性能。
DDR——雙倍數據速率SDRAM(DDR SDRAM，大家習慣稱DDR)是最新一代SDRAM。DDR提高了速度，降低了功耗，引入了刷新機制，並增加了CRC等安全功能。例如，DDR3傳輸IO數據的速度比其自身單元的速度快8倍，從而實現更高的吞吐量和更快的速度。(但它並沒有降低時延)單芯片容量可以達到8GB，在實際應用中可有效翻倍至16GB。
SGRAM——同步圖形RAM(Synchronous Graphics Random-Access Memory)是一個同步時鐘的DRAM。SGRAM可以同時打開兩個內存頁面，以較低的成本模擬雙端口。
VRAM——即Video RAM，是一種用於存儲計算機圖像數據的DRAM。VRAM充當用戶顯示監視器和處理器之間的幀緩衝器。處理器最初從主存儲RAM讀取視頻數據並將其寫入視頻RAM格式。幀緩衝器將數字視頻數據轉換爲模擬信號併發送到顯示器。舊的VRAM是雙端口的，這意味着當CPU處理器將一個新的幀寫入視頻RAM時，監視器將從視頻中讀取並更新其顯示。
MDRAM——多BANK動態隨機存取存儲器(Multibank Dynamic RAM)，是一種高性能VRAM。傳統的VRAM通過呈現整個幀緩衝區以進行數據訪問，而MDRAM將內存劃分爲32KB的BANK以進行併發訪問。
EDRAM——增強型DRAM，將SRAM和DRAM結合起來，爲2級緩存提供服務。通常是256字節的SRAM與DRAM配對。數據讀取操作首先檢查SRAM以獲取所請求的數據，如果數據未存儲在SRAM中，再檢查DRAM。
WRAM——Window RAM(與Microsoft Windows無關)是一種高性能的雙端口VRAM。它的架構比傳統的VRAM產生大約25%的帶寬，成本更低。它通過高性能數據讀取實現此功能，用於文本繪製和塊填充等操作。它採用真彩色(24位色)，非常適合高分辨率圖形顯示器。
EDO DRAM——擴展數據輸出DRAM(EDO DRAM)，預先讀取下一塊存儲器，同時將前一塊發送到CPU，這使它的速度比標準DRAM快25%。