一、晶振分爲有源晶振和無源晶振兩種。有源晶振一般爲單端輸出，無源晶振一般爲雙端輸出。晶振被人們稱爲電路系統的心臟，一旦心臟停止跳動，整個電路板可能出現癱瘓。因此晶振的質量問題是很多廠商放在首位的考慮對象。常用的晶振電路如下圖所示。
晶振的關鍵參數包括：晶振頻率、頻率容差、溫度頻差、負載電容、等效串聯電阻。
1. 晶振頻率：晶振常用標稱頻率爲1-200MHz之間，更高的輸出頻率也常用PLL將低頻進行倍頻至1GHz以上，我們稱之爲標稱頻率。晶體頻率是首要考慮的晶振參數。
2. 頻率容差：輸出信號的頻率不可避免會有一定的偏差，稱之爲頻率誤差，用單位ppm來表示，即百萬分之一。它是相對標稱頻率的變化量，此值越小表示精度越高。例如：12MHz晶振偏差爲正負20ppm表示：它的頻率偏差爲12*20=正負240Hz。
3. 溫度頻差：溫度偏差表示在特定溫度範圍內，工作頻率相對於基準溫度時的工作頻率的允許偏離值，單位也爲ppm。
4. 負載電容：負載電容(CL)是關係到振盪迴路能否正常的外圍可調整器件。它是電路中跨接晶體兩端的總的有效電容(注意：這個不是晶振的外接電容，而是外接電容和雜散電容的總合)。
其計算公式爲： 
其中CL爲負載電容，Cg和Cd爲外接電容，Cs爲雜散電容(寄生電容)。在實際晶振的手冊中，一般會標註CL和Cs的具體數值，因此對於用戶來說，只需要計算出Cg和Cd即可，一般晶振的外接電容的數值爲12.5pF、16pF、22pF、30pF等。只有當CL爲手冊標稱的數值時，其晶振的輸出頻率和頻率誤差才滿足手冊的標定值。(注：上圖的C1和C5便是Cg和Cd的值)
5. 等效串聯電阻：等效串聯電阻就是ESR。這個值越小越好，越小晶振越容易起振；但是越小晶振的製造技術和工藝水平要求越高，價格也就越高。
二、電阻是電子產品中應用最爲廣泛的元器件之一，起到阻礙電流的作用。電阻的伏安特性曲線是線性的。
電阻的關鍵參數包括：阻值、允許誤差、額定功率、溫度係數。
1. 阻值：電阻器上標示的電阻值。
2. 允許誤差：標稱阻值與實際阻值的差值跟標稱阻值之比的百分數稱爲阻值偏差，它表示電阻器的精度。例如：正負0.5%、正負1%、正負5%、正負10%、正負20%等精度。
3. 額定功率：電阻器長期正常工作所允許耗散的最大功率。例如：1/20W、1/8W、1/4W、1/2W、1W、4W、8W等功率。
4. 溫度係數：溫度每變化1攝氏度所引起的電阻值的相對變化。溫度係數越小，電阻的穩定性越好。阻值隨溫度升高而增大的爲正溫度係數；阻值隨溫度升高而減小的爲負溫度係數。一般在精密測量領域(例如電阻作爲電流測量使用)，對電阻的溫度係數要求較高，以保證測量的準確性。