快速看懂芯片的Power報告

芯片的Power，通常可以通過PTPX跑出來，也可以用DC報。

在仿真的時候，通常需要設置號，電壓以及track等參數，這些，對於後續計算PPA，非常有幫助。

功耗一般會按照模塊來劃分。每一個模塊，又會包含至少3項：Leakage Power，Switch Power 和 Internal Power

功耗：total power = leakage power +internal power + switching power。其中internal power + switch power = dynamic power.

Leakage power，也成爲靜態功耗。即漏電功耗和本身工藝庫特性相關，後端可以對non-crtical path 進行cell的替換，從LVT、SVT，SVT、HVT，HVT、UHVT。另外，也可以對設計進行劃分power domain。當這個模塊不工作的時候，可以進行斷電。從而大大降低芯片的漏電功耗。在計算的時候需要參考Timing Library中的Cell信號佔空比的信息來計算。

動態功耗包括internal power和switch power.

Internal power，即短路功耗，即上下PMOS和NMOS同時導通時的功耗。是動態功耗的主要部分。通常會參考Timing Library中cell的查找表和佔空比，與信號翻轉率來進行計算。

Internal Power是動態功耗的主要部分。

switch power，即開關功耗。cell外部的電容充放電引起的功耗。

動態功耗和data的翻轉率（TR），靜態概率（SP），電壓，負載電容相關。一般情況下，需要讀入SPEF文件，從而抽取每個節點上的RC參數用於計算switch power。

P=V^2 * F * C(switch power) + Tsc * V * Ipeak * F(internal power) + Vdd I leakage(Leakage power)
V-- 供電電壓
F–clock的頻率
C–代表負載電容
Tsc–短路時間