二極管的認識

寫在前面:

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一、PN結

在同一硅片上將 P型半導體與 N型半導體結合在一起,那麼它們之間的交界面就形成 PN結;同時,PN結具有單向導電性,正是因爲這一特點,所以才構造出二極管這樣的電子元件

  1. PN結的狀態(導通 or 截止):

    • 當 PN結外加正向電壓時處於導通狀態
    • 當 PN結外加反向電壓時則處於截止狀態
  2. 反向擊穿(按照它的機理可分爲兩種):

    • 齊納擊穿:齊納擊穿發生在摻雜濃度很高的 PN結上,在高摻雜的情況下,因耗盡層(空間電荷區)寬度很窄,所以不大的反向電壓就可以在耗盡層形成很強的電場,而直接破壞共價鍵,使價電子脫離共價鍵束縛,產生電子 - 空穴對,致使電流急劇增大

    • 雪崩擊穿:雪崩擊穿一般發生在摻雜濃度較低、外加電壓又相對較高的 PN結中,在摻雜濃度較低下,耗盡層寬度較寬,那麼相對較低的反向電壓不會產生齊納擊穿;當反向電壓增加到一定程度的時候,會把價電子撞出共價鍵,從而產生電子 - 空穴對,這種新產生的電子與空穴在被電場加速後又撞出其他價電子,載流子雪崩式地倍增,致使電流急劇增加

      它們的視圖:
      在這裏插入圖片描述

      齊納擊穿 vs 雪崩擊穿
      齊納擊穿和雪崩擊穿之間的主要區別在於它們的發生機理。齊納擊穿是由於高電場而引起的,而雪崩擊穿是由於自由電子與原子的碰撞而發生的。這兩種故障都可能同時發生。讓我們在下表中查看它們之間的其他區別。

    齊納擊穿 雪崩擊穿
    一般齊納擊穿電壓 Vz在 5至 8伏。 一般電壓 Vz大於 8伏以雪崩擊穿爲主。
    在狹窄的耗盡區,由於高電場的存在,價電子被拉入導電狀態。 由於加速電子與其他原子碰撞而獲得速度的能量,價電子被推向傳導。
    溫度升高會降低擊穿電壓。 溫度升高會增加擊穿電壓。
    齊納擊穿的 VI特性具有陡峭的曲線。 雪崩擊穿的 VI特性曲線不像齊納擊穿那樣尖銳。
    它發生在高度摻雜的二極管中。 它發生在輕微摻雜的二極管中。
  3. PN結電容效應:

    • 勢壘電容 Cb
    • 擴散電容 Cd

    PN結的結電容 Cj = Cb + Cd;由於 Cb與 Cd一般都很小(結面積小的爲 1pF左右,結面積大的爲幾十至幾百皮法),對於低頻信號呈現出很大容抗,其作用可忽略不計,只有在信號頻率較高時才考慮結電容的作用


二、二極管分類

  1. 常見結構

    • 點接觸型:其結電容較小,一般在 1pF以下,工作頻率可達 100MHz以上;適用於高頻電路和小功率整流
    • 面接觸型:結面積比較大,能夠通過較大電流;因其結電容大,所以只能在較低頻率下工作,一般僅作爲整流管
    • 平面型:結面積較大的可用於大功率整流;結面積小的可作爲脈衝數字電路中的開關管

    視圖:
    在這裏插入圖片描述

  2. 用途種類

    • 整流二極管:將交流電源整流成脈動直流電,它是利用二極管的單向導電特性工作的;因爲整流二極管正向工作電流較大,工藝上多采用面接觸結構
    • 開關二極管:在脈衝數字電路中,用於接通和關斷電路的二極管叫開關二極管,它的特點是反向恢復時間短,能滿足高頻和超高頻應用的需要
    • 變容二極管:是利用 PN結的電容隨外加偏壓而變化這一特性製成的非線性電容元件,被廣泛地用於參量放大器,電子調諧及倍頻器等微波電路中
    • 快恢復二極管:能夠迅速由導通狀態過渡到關斷狀態的 PN結整流二極管,具有開關特性好、反向恢復時間短的特點; 主要應用於開關電源、PWM脈寬調製器、變頻器等電子電路中
    • 發光二極管:發光顏色取決於所用材料,只有當外加的正向電壓使得正向電流足夠大時才發光;正向電流愈大,發光愈強,使用時要注意不要超過最大功耗、最大正向電流和反向擊穿電壓等極限參數
    • 光電二極管:是利用 PN結的光敏特性,將收到的光的變化轉換成電流的變化;由於光電二極管的光電流較小,所以當將其用於測量及控制等電路中時,需要先進行放大處理
    • 穩壓二極管:屬於面接觸結構的二極管,當反向電壓擊穿時,在一定的電流範圍內(或者說在一定的功率損耗範圍內),端電壓幾乎不變,表現出穩壓特性,因而廣泛用於穩壓電源與限幅電路之中
    • TVS管:又稱爲瞬態抑制二極管,是普遍使用的一種新型高效電路保護器件,它具有極快的響應時間(亞納秒級)和相當高的浪湧吸收能力;當它的兩端經受瞬間的高能量衝擊時,TVS能以極高的速度把兩端間的阻抗值由高阻抗變爲低阻抗,以吸收一個瞬間大電流,把它的兩端電壓箝制在一個預定的數值上,從而保護後面的電路元件不受瞬態高壓尖峯脈衝的衝擊
    • 肖特基二極管:不是利用 P型半導體與 N型半導體接觸形成 PN結原理製作的,而是在金屬(例如鉛)和半導體(N型硅片)的接觸面上,用已形成的金屬-半導體結(肖特基勢壘)來阻擋反向電壓;肖特基與 PN結的整流作用原理有根本性的差異,其耐壓程度只有 40V左右,開關頻率特別高速度非常快、反向恢復時間(Trr)特別地短;因此,被廣泛應用於變頻器、開關電源、驅動器等電路,作爲低壓大電流整流二極管、開關二極管、保護二極管、續流二極管等使用

三、二極管的伏安特性

與 PN結一樣,二極管具有單向導電性;由於二極管存在半導體體電阻和引線電阻,所以當外加正向電壓時,在電流相同的情況下,二極管的端電壓大於 PN結的上的壓降;或者說在外加電壓相同的情況下,二極管的正向電流要小於 PN結的電流。另外,由於二極管表面漏電流的存在,使外加反向電壓時的反向電流增大

​ 伏安特性圖:
在這裏插入圖片描述
使二極管開始導通的臨界電壓稱爲開啓電壓 Uon;當二極管所加單向電壓的數值足夠大時,反向電流爲 Is;能使二極管擊穿的反向電壓爲擊穿電壓 U(BR)

Si 和 Ge的伏安特性比較:

材料 開啓電壓 Uon / V 導通電壓 U / V 反向飽和電流 Is / uA
硅(Si) ≈ 0.5 0.6 ~ 0.8 < 0.1
鍺(Ge) ≈ 0.1 0.1 ~ 0.3 幾十

四、二極管常用參數

  1. 最大整流電流 IF:是二極管長期運行時允許通過的最大正向平均電流,與 PN結面積及外部散熱條件有關
  2. 最高反向工作電壓 UR:是二極管工作時允許外加的最大反向電壓,超過此值二極管則有可能因反向擊穿而損壞;通常 UR爲擊穿電壓 U(BR)的一半
  3. 反向電流 IR:二極管未擊穿時的反向電流;IR 愈小,則單向導電性能愈好
  4. 最高工作頻率 fM:fM是二極管工作的上限截止頻率;超過此值時,由於結電容的作用,二極管將不能很好地體現單向導電性
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