- 电阻偏移,持久性有一个有限的时间,最大10^7s。与相邻的单元发生冲突。
- 读性能与DRAM差不多,但写性能相差较大。
- 非易失性 non-volatility
- byte-addressability
- 写的速度越快,持久性越差,相反也成立。因为,target band 越大,写的速度越快,持久性就越差。target band 越小,需要迭代写——以使cell达到所需的电阻要求——的次数就越多,因此速度就越慢。
PCM性质
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