面向高可靠性應用的高壓GaN HEMT現提供15 A和30 A兩種較低電流版本
加州米爾皮塔斯--(美國商業資訊)--Teledyne e2v HiRel爲其基於GaN Systems技術的650伏行業領先高功率產品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體管）。
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這兩款全新大功率HEMT——TDG650E30B和TDG650E15B——分別提供30A和15A的較低電流性能，而去年推出的第一款650 V產品TDG650E60提供60A的電流。
這些650 V GaN HEMT是市面上電壓最高的GaN功率器件，用於要求嚴格的高可靠性軍事、航空電子和太空應用，是諸如電源、電機控制和半橋拓撲等應用的理想之選。
這些器件配有底部冷卻裝置，採用超低FOM Island Technology®芯片和低電感GaNPX®封裝，提供大於100 Mhz的超高頻率開關、快速且可控制的下降和上升時間、反向電流能力等等。
Teledyne e2v HiRel業務開發副總裁Mont Taylor表示：“我們很高興繼續爲需要最高可靠性的航空等應用打造650 V系列高功率GaN HEMT。我們相信，這些新器件更小的封裝將使從事最高功率密度項目設計的客戶真正受益。”
TDG650E15B和TDG650E30B均爲增強型硅上GaN功率晶體管，可實現大電流、高壓擊穿和高開關頻率，同時爲大功率應用提供非常低的結殼(junction-to-case)熱阻。
氮化鎵器件已經革新了其他行業的功率轉換元件，現在以耐輻射的塑料封裝推出，這種封裝經過嚴格的可靠性和電氣測試以確保關鍵任務的成功。這些新型GaN HEMT的發佈爲客戶提供了關鍵航空航天和國防電力應用所需的效率、尺寸和功率密度優勢。
對於所有產品線，Teledyne e2v HiRel都會針對最高可靠性應用執行最嚴苛的認證和測試。對於功率器件，這些測試包括硫酸測試、高空模擬、動態老化、環境溫度高達175°C的階躍應力、9伏柵極電壓以及全溫度測試。與碳化硅(SiC)器件不同，這次發佈的兩款器件可以輕鬆地並行實施，以增加負載電流或降低有效導通電阻(RDSon)。
這兩種新器件現在均可供訂購和立即購買。
關於Teledyne e2v HiRel
Teledyne e2v HiRel創新引領着航空、運輸、國防和工業市場的發展。Teledyne e2v HiRel的獨特方法包括聆聽客戶的市場和應用挑戰，並與他們合作以提供創新的標準化、半定製或全定製解決方案，從而爲他們的系統增加價值。如需瞭解更多信息，請訪問www.teledynedefelec.com。
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GaN Systems是GaN功率半導體的全球領導者，擁有最大的晶體管產品組合，可以獨一無二地滿足當今最苛刻行業的需求，包括數據中心服務器、可再生能源系統、汽車、工業電機和消費電子產品。作爲市場領先的創新者，GaN Systems使設計更小、更低成本和更高效率的電源系統成爲可能。該公司屢獲殊榮的產品爲系統設計提供了不受以前硅材料限制的機會。通過打破晶體管性能的規則，GaN Systems使功率轉換公司能夠革新他們的行業和改變世界。如需瞭解更多信息，請訪問www.gansystems.com或在Facebook、Twitter和LinkedIn上關注GaN Systems。