胡正明教授學術指路明燈

作爲關鍵2013年關鍵時刻給出徐直軍和何庭波建議，使用當時最新的16nm finFET作爲主要芯片工藝，獲得過美國最高技術獎的加州伯克利教授華人科學家胡正明，一直踐行做有用的半導體技術的信念，在學術界耕耘40載，發表論文無數，是一位值得後進仿效學習的良師。
胡正明教授在伯克利大學的主頁和文章主頁介紹將他個人和他的研究小組得很詳細，可以作爲跟蹤學術研究的重要信息源。
胡正明教授以FinFET和UTB-SOI的研究聞名，專注於解決微電子器件尺寸縮小到納米級別的漏電問題，成功引導產業延續摩爾定律，功勳卓著。
作爲二維材料的研究人員，我比較關注的是他們組一篇題目爲Field-Effect Transistors Built from All Two-Dimensional Material Components的文章，胡教授組在這方面研究並不多，可能確實覺得該方向潛力不大。
對模擬器件進行數值建模用於大規模集成電路的設計和仿真也是胡教授引以爲豪的工作，他領導的BSIM 項目是TCAD的重要組成部分。BSIM-MG: A Versatile Multi-Gate FET Model for Mixed-Signal Design 就介紹了一個多柵FET的模型，可以作爲參考。