在2015年，一對好基友Intel和美光攜手發佈了革命性的存儲技術，名號稱爲“3D Xpoint”. 由於3D Xpoint是自NAND閃存問世以來引入的新型的存儲技術，自然在科技界立馬引起了轟動。大家都想知道，這個新生事物到底是何方神聖？
本文就帶領大家走進這個新科技。本文內容主要基於Intel Optane SSD的拆解。先來了解以下產品詳細參數：
看到上面的表格，估計很多朋友都會迷糊，我們這裏重點提一下上面表格中具有代表性的參數：
(1) 每顆芯片封裝容量是16GB；
(2) 內存效率達到91.4%；
(3) 整個die的內存密度是0.62Gb/mm^2;
(4) Array內存密度是0.69Gb/mm^2;
3D Xpoint到底是什麼呢？經過電子掃描電鏡SEM拍照發現，3D Xpoint實際上是PCM，即相變存儲器。具體一點就是Ge1Tb2Te4 PCM.
在3D Xpoint問世時，Intel和美光宣稱：
(1) 3D Xpoint比NAND閃存快1000倍；
(2) 3D Xpoint比DRAM存儲密度高10倍；
(3) 3D Xpoint比NAND閃存耐久性高1000倍；
而這些只是官方宣稱的理論數值，實際上效果如何呢？實踐出真知，我們來看實測數據。
存儲密度: 3D Xpoint VS DRAM
從上圖我們可以看到：
(1)3D Xpoint的存儲密度是0.62Gb/mm^2, 與三星18nm DRAM的存儲密度0.189Gb/mm^2相比，是後者的3.2倍；
(2)與美光20nm DRAM的存儲密度0.094Gb/mm^2相比，3D Xpoint的存儲密度是其6.6倍；
存儲單元大小: 3D Xpoint VS DRAM
從上圖我們可以看到：
(1)與三星18nm DRAM的存儲單元大小相比，3D Xpoint的存儲單元大小是其58%；
(2)與美光20nm DRAM的存儲單元大小相比，3D Xpoint的存儲單元大小是其36%；
存儲密度: 3D Xpoint VS 3D NAND
從上圖我們可以看到：
(1)與三星48層TLC V-NAND相比，3D Xpoint的存儲密度是其24%；
(2)與東芝/閃迪64層 3D NAND相比，3D Xpoint的存儲密度是其18%；
存儲單元面積效率: 3D Xpoint VS 3D NAND
從上圖可以看到，3D Xpoint的存儲單元面積效率爲53.2%，僅比2D NAND的43.9%好點，但相對與3D NAND，3D Xpoint還處於很大的劣勢。
存儲單元面積: 3D Xpoint VS 3D NAND
從上圖我們可以看到3D Xpoint的存儲單元面積比2D NAND和3D NAND都大很多，這也是造成存儲效率和存儲密度較低的主要原因。
總結：
與DRAM相比, 3D Xpoint的存儲密度並沒有10倍之多，而是美光20nm DRAM的6倍，三星1x DRAM的3倍；
與NAND相比，3D Xpoint的存儲密度只有東芝/閃迪 64層NAND的18%。比2D NAND具有更高的存儲單元面積效率，但是比3D NAND卻差很多！
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