本系列前面兩篇文章《[攻克存儲] SRAM地址線的連接》和 《[攻克存儲] 存儲芯片的寫屏蔽及擴展》已經介紹了SRAM芯片的地址線連接方法以及存儲芯片的寫屏蔽擴展，這兩篇文章基本上是從SRAM的角度在進行講解和描述，其中許多原理在SDRAM/DDR芯片中也同樣適用，不過，SDRAM/DDR 存儲芯片的結構和尋址方式相對於ROM、SRAM、DRAM而言，還是有很大的變化和不同的，本文就着重介紹SDRAM/DDR的相關知識點和應用注意事項。
在存儲結構上，SDRAM/DDR採取了多Bank方式，每一個邏輯Bank即爲一個存儲陣列，一般一個SDRAM芯片有2~8個Bank。我們可以把Bank想象爲一個表格，如下：
圖中的Bank是一個14行17列的邏輯存儲結構，假設該SDRAM芯片有4個Bank，則其存儲空間爲：4
x 2^14 x 2^17 bit = 2^33 bit = 1GB
在尋址方式上，首先，多了幾個Bank選擇引腳，例如對於4個Bank的SDRAM，則有2個引腳（BA0~BA1）進行Bank選擇。當具體Bank選定後，再給出行列地址從而定位到具體的存儲位置。而行列地址值由相應的地址線引腳分時複用得到。
下面研究一個具體的SDRAM電路圖，如下圖所示，該圖爲ARM芯片s3c2440與SDRAM芯片HY57V561620的連接示意圖。
該SDRAM芯片爲 HY57V561620 ，有4個Bank，16位寬數據線，32M的存儲空間。該芯片的引腳功能描述如下：
重點關注地址線 A0~A12的說明，我們可以到，該芯片每一個Bank有13行（RA0~RA12），9列（CA0~CA8），行尋址時使用A0~A12，列尋址分時複用，只使用了CA0~CA8。並且，相比於SRAM芯片，多了nRAS、nCAS引腳，用於標識當前是行尋址還是列尋址，從而實現地址線的分時複用。
我們可以通過下面的時序圖，來更加直觀地瞭解一下SDRAM是如何尋址的：
[第一步] 選擇Bank，同時給出行地址
[第二步] 給出列地址，得到數據
到此，基本上算是把 SDRAM/DDR 的結構和尋址講完了，當然，關於SDRAM/DDR還有很多其他的相關知識點，比如 CAS 延時，比如 時鐘頻率，比如 DRAM/SDRAM/DDR2 的詳細區別等等，將在後面的文章中陸續講述。
最後，再補充點內容，關於上面ARM芯片s3c2440與SDRAM芯片HY57V561620的連接圖，有一個細節，即爲什麼SDRAM芯片的BA0~BA1連接的是ARM芯片的LADDR24~LADDR25引腳？
因爲，HY57V561620爲32MB的SDRAM芯片，我們知道，32MB的存儲空間是需要 25 根地址線尋址的，由於BA0~BA1引腳決定了訪問第幾個Bank，即決定了存儲空間的最高兩位，因此，需要使用ARM的25根地址線中的最高兩位來連接 BA0~BA1，這樣就可以滿足尋址的映射要求了。
SDRAM/DDR的結構與尋址就介紹到這裏，歡迎對文中錯誤以及不夠清楚的地方提出意見和建議，留言或者來信[email protected]進一步交流。
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