最近用到幾種存儲器，但總是會弄混，所以在網上找了各種存儲器的特點，整理一下，以備後用。
按用途存儲器可以分爲外部存儲器和內部存儲器。外存通常是磁性介質或光盤，能長期保存信息。內存指主板上的存儲部件，用來存放當前正在執行的數據和程序，僅用於暫時存放程序和數據，關閉電源或斷電，數據會丟失。
RAM
RAM(random access memory，隨機存取存儲器）。存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用於存儲短時間使用的程序。 按照存儲信息的不同，隨機存儲器又分爲靜態隨機存儲器（Static RAM，SRAM)和動態隨機存儲器（Dynamic RAM，DRAM)。
SRAM
SRAM（Static RAM，靜態隨機存儲器），不需要刷新電路，數據不會丟失，而且，一般不是行列地址複用的。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內存，一般是用在處理器的緩存裏面。像S3C2440的ARM9處理器裏面就有4K的SRAM用來做CPU啓動時用的。
SRAM其實是一種非常重要的存儲器，它的用途廣泛。SRAM的速度非常快，在快速讀取和刷新時能夠保持數據完整性。SRAM內部採用的是雙穩態電路的形式來存儲數據。所以SRAM的電路結構非常複雜。製造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因爲如此，才使其發展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用於CPU內部的一級緩存以及內置的二級緩存。僅有少量的網絡服務器以及路由器上能夠使用SRAM。
DRAM
Dynamic RAM，動態隨機存取存儲器，每隔一段時間就要刷新一次數據，才能保存數據。而且是行列地址複用的，許多都有頁模式。SDRAM是其中的一種。
SDRAM
SDRAM（Synchronous DRAM，同步動態隨機存儲器），即數據的讀寫需要時鐘來同步。其存儲單元不是按線性排列的，是分頁的。
DRAM和SDRAM由於實現工藝問題，容量較SRAM大。但是讀寫速度不如SRAM。
一般的嵌入式產品裏面的內存都是用的SDRAM。電腦的內存也是用的這種RAM，叫DDR SDRAM，其集成度非常高，因爲是動態的，所以必須有刷新電路，每隔一段時間必須得刷新數據。
ROM
Read-Only Memory，只讀存儲器的總稱。
在微機的發展初期，BIOS都存放在ROM（Read Only Memory，只讀存儲器）中。ROM內部的資料是在ROM的製造工序中，在工廠裏用特殊的方法被燒錄進去的，其中的內容只能讀不能改，一旦燒錄進去，用戶只能驗證寫入的資料是否正確，不能再作任何修改。如果發現資料有任何錯誤，則只有捨棄不用， 重新訂做一份。ROM是在生產線上生產的，由於成本高，一般只用在大批量應用的場合。
PROM
可編程只讀存儲器，只能寫一次，寫錯了就得報廢，現在用得很少了，好像那些成本比較低的OPT單片機裏面用的就是這種存儲器吧。
EPROM
EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可編程ROM）芯片可重複擦除和寫入，解決了PROM芯片只能寫入一次的弊端。
EPROM芯片有一個很明顯的特徵，在其正面的陶瓷封裝上，開有一個玻璃窗口，透過該窗口，可以看到其內部的集成電路，紫外線透過該孔照射內部芯片就可以擦除其內的數據，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。
EPROM內資料的寫入要用專用的編程器，並且往芯片中寫內容時必須要加一定的編程電壓（VPP=12—24V，隨不同的芯片型號而定）。EPROM的型號是以27開頭的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片。EPROM芯片在寫入資料後，還要以不透光的貼紙或膠布把窗口封住，以免受到周圍的紫外線照射而使資料受損。 EPROM芯片在空白狀態時（用紫外光線擦除後），內部的每一個存儲單元的數據都爲1（高電平）。
EEPROM
EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM，電可擦可編程只讀存儲器)，一種掉電後數據不丟失的存儲芯片。EEPROM是可用戶更改的只讀存儲器，其可通過高於普通電壓的作用來擦除和重編程（重寫），即可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息並重新編程。不像EPROM芯片，EEPROM不需從計算機中取出即可修改，是現在用得比較多的存儲器，比如24CXX系列的EEPROM。
在一個EEPROM中，當計算機在使用的時候是可頻繁地重編程的，EEPROM的壽命是一個很重要的設計考慮參數。
EEPROM的一種特殊形式是閃存，其應用通常是個人電腦中的電壓來擦寫和重編程。
EEPROM一般用於即插即用（Plug & Play），常用在接口卡中，用來存放硬件設置數據，也常用在防止軟件非法拷貝的"硬件鎖"上面。
閃存（Flash）
閃存(FLASH)是一種非易失性存儲器，即斷電數據也不會丟失。因爲閃存不像RAM（隨機存取存儲器）一樣以字節爲單位改寫數據，因此不能取代RAM。
閃存卡（Flash Card）是利用閃存（Flash Memory）技術達到存儲電子信息的存儲器，一般應用在數碼相機，掌上電腦，MP3等小型數碼產品中作爲存儲介質，所以樣子小巧，有如一張卡片，所以稱之爲閃存卡。根據不同的生產廠商和不同的應用，閃存卡大概有U盤、SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（記憶棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬盤（MICRODRIVE）。這些閃存卡雖然外觀、規格不同，但是技術原理都是相同的。
NAND FLASH和NOR FLASH都是現在用得比較多的非易失性閃存。
flash閃存是非易失存儲器，可以對稱爲塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫爲0。
由於擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間爲5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執行相同的操作最多只需要4ms。
執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統計表明，對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時更多的擦除操作必須在基於NOR的單元中進行。這樣，當選擇存儲解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。
● NOR的讀速度比NAND稍快一些。
● NAND的寫入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。
● 大多數寫入操作需要先進行擦除操作。
● NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。
NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內部的每一個字節。
NAND器件使用複雜的I/O口來串行地存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。
NAND讀和寫操作採用512字節的塊，這一點有點像硬盤管理此類操作，很自然地，基於NAND的存儲器就可以取代硬盤或其他塊設備。
簡單地說，在計算機中，RAM 、ROM都是數據存儲器。RAM 是隨機存取存儲器，它的特點是易揮發性，即掉電失憶。ROM 通常指固化存儲器(一次寫入，反覆讀取)，它的特點與RAM 相反。
ROM又分一次性固化（PROM）、光擦除（EPROM）和電擦除（EEPROM）重寫幾種類型。舉個例子來說也就是，如果突然停電或者沒有保存就關閉了文件，那麼ROM可以隨機保存之前沒有儲存的文件但是RAM會使之前沒有保存的文件消失。
RAM又分爲靜態隨機存儲器（SRAM)和動態隨機存儲器（DRAM)。