EEPROM和flash的區別
之前對各種存儲器一直不太清楚，今天總結一下。
存儲器分爲兩大類：ram和rom。
ram就不講了，今天主要討論rom。
rom最初不能編程，出廠什麼內容就永遠什麼內容，不靈活。後來出現了prom，可以自己寫入一次，要是寫錯了，只能換一片，自認倒黴。人類文明不斷進步，終於出現了可多次擦除寫入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下，想一下你往單片機上下了一個程序之後發現有個地方需要加一句話，爲此你要把單片機放紫外燈下照半小時，然後才能再下一次，這麼折騰一天也改不了幾次。歷史的車輪不斷前進，偉大的EEPROM出現了，拯救了一大批程序員，終於可以隨意的修改rom中的內容了。
EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲器”，即Electrically Erasable Programmable Read-OnlyMemory。是相對於紫外擦除的rom來講的。但是今天已經存在多種EEPROM的變種，變成了一類存儲器的統稱。
狹義的EEPROM：
這種rom的特點是可以隨機訪問和修改任何一個字節，可以往每個bit中寫入0或者1。這是最傳統的一種EEPROM，掉電後數據不丟失，可以保存100年，可以擦寫100w次。具有較高的可靠性，但是電路複雜/成本也高。因此目前的EEPROM都是幾十千字節到幾百千字節的，絕少有超過512K的。
flash:
flash屬於廣義的EEPROM，因爲它也是電擦除的rom。但是爲了區別於一般的按字節爲單位的擦寫的EEPROM，我們都叫它flash。
flash做的改進就是擦除時不再以字節爲單位，而是以塊爲單位，一次簡化了電路，數據密度更高，降低了成本。上M的rom一般都是flash。
flash分爲nor flash和nand flash。nor flash數據線和地址線分開，可以實現ram一樣的隨機尋址功能，可以讀取任何一個字節。但是擦除仍要按塊來擦。
nand flash同樣是按塊擦除，但是數據線和地址線複用，不能利用地址線隨機尋址。讀取只能按頁來讀取。（nandflash按塊來擦除，按頁來讀，norflash沒有頁）
由於nandflash引腳上覆用，因此讀取速度比nor flash慢一點，但是擦除和寫入速度比nor flash快很多。nand flash內部電路更簡單，因此數據密度大，體積小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash多是nor型的。
使用壽命上，nand flash的擦除次數是nor的數倍。而且nand flash可以標記壞塊，從而使軟件跳過壞塊。nor flash 一旦損壞便無法再用。
因爲nor flash可以進行字節尋址，所以程序可以在nor flash中運行。嵌入式系統多用一個小容量的nor flash存儲引導代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統和內核。
（這句話可以看出，可以按字節尋址的都可以當做數據存儲器，就是程序可以直接在上面運行，因爲cpu尋址可以是但地址去尋址。
那eeprom也不行，沒有地址線，只有i2c接口，注意eeprom是可以按字節操作，但是和按字節尋址還有區別，這裏按字節尋址是指cpu通過地址線直接去尋址。spi flash就不行，nand flash也不行。所以一般情況下ram和nor flash可以。）
另一篇區別：
掉電需保護且在程序運行過程中需要修改的想少量參數保存在EEPROM中，其擦除次數較Flash多，Flash用來做程序和一些掉電保護和不需要修改的數據。
Flash memory指的是“閃存”，所謂“閃存”，它也是一種非易失性的內存，屬於EEPROM的改進產品，它的最大特點是必須按塊（Block）擦除（每個區塊的大小不定，不同廠家的產品有不同的規格），而EEPROM則可以一次只擦除一個字節（Byte），目前“閃存”被廣泛用在PC機的主板上，用來保存BIOS程序，便於進行程序的升級。其另外一大應用領域是用來作爲硬盤的替代品，具有抗震、速度快、無噪聲、耗電低的優點，但是將其用來取代RAM就顯的不合適，因爲RAM需要能夠按字節改寫，而Flash ROM做不到。
FLASH的全稱是FLASH EEPROM，但跟常規EEPROM的操作方法不同。FLASH和EEPROM的最大區別是FLASH按扇區操作，EEPROM則按字節操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結構也不同，FLASH的電路結構較簡單，同樣容量佔芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設計往往只有FLASH，EEPROM在運行中可以被修改，而FLASH在運行時不能修改，EEPROM可以存儲一些修改的參數，Flash中存儲程序代碼和不需要修改的數據，所謂的Flash是用來形容整個存儲單元的內容可以一次性擦除。所以，理論上凡是具備這樣特徵的存儲器都可以稱爲Flash memory。EEPROM裏面也分FF-EEPROM和FLASH EEPROM的，現在大家所講的Flash memory實際上分爲兩大類，一類是FloatingGate Debice，一類是Charge TrappingDebice，這裏的分類標準主要是program與crase的機制不同。
一：FLASH和EEPROM的區別
1:相同點是兩者都能掉電存儲數據
2：不同點是：
A：FALSH寫入時間長，EEPROM寫入時間短。
B：FLASH擦寫次數少（10000次），EEPROM次數多（1000000次）
二：單片機的數據存儲器不能用FLASH，因爲：
1：FLASH有一定的擦除，寫入次數，一般的單片機的FLASH擦除寫入次數的標稱值是10000次。
2：FLASH寫入數據需要比較長的時間，大約需要4-6ms，而且寫FLASH需要加上9V的高壓，麻煩。
三：至於EEPROM，可以作爲數據存儲器，但是單片機如atmegal28，一般用RAM作爲數據存儲器，因爲EEPROM工藝複雜，成本高，適合於存儲掉電保護的數據，而這類數據往往不需要太多，所以一般的單片機都沒在內部集成EEPROM，需要的時候可以讓單片機外掛24C01一類的串行EEPROM。
區別：
1、 FLASH按扇區操作，EEPROM則按字節操作
2、 FLASH寫入時間長，EEPROM寫入時間短
3、 FLASH擦寫次數少（10000次），EEPROM次數多（1000000次）
4、 FLASH的電路結構簡單，成本低，EEPROM工藝複雜，成本高