一、半導體與PN結
首先了解半導體的一些特性:
1. 半導體的導電特性:
半導體一般是指基於元素週期表中第IV主族元素物質製作的介於導體和絕緣體之間的物質,比如碳、硅、鍺等。
半導體導電特性是基於空穴-電子對的運動,從而產生電流。
空穴:電子流失後留下的空位,把它看成一類導電物質,帶正電;
電子:電子的單向運動產生反向電流,帶負電。
溫度升高空穴-電子對的運動強度增大,因此導電能力也就增強。
2. PN結
N型半導體(Negative):參入五價元素,與四價元素形成共價鍵後剩餘一個電子,整體帶負電。
P型半導體(Positive):參入三價元素,與四價元素形成共價鍵後剩餘一個空穴,整體帶正電。
PN結:將P型半導體和N型半導體組合後形成PN結,也就是常見的二極管基本結構。
對PN結的P區加正電壓,N區加正電壓。P區的空穴向N去移動,N區的電子向P區移動,這樣就形成了由P向N的電流。
3.二極管
一般選型二極管可能需要關注的參數有:最大整流電流IF,最高反向工作電壓UR,反向電流IR,最高工作頻率fM等。
對PN結施加反向電壓的應用場景是穩壓二極管。
二、三極管與放大電路
1. 三極管(Bipolar Junction Transistor)
按照各類書籍,基本按照NPN型爲例進行分析,本文也會依照NPN模型的路徑進行分析,但儘量結合兩類三極管的異同點。結構如下:
日常使用過程中我們更加關注的應該是如下的符號:
關於記憶NPN和PNP的符號,我的方法是箭頭總指向N型半導體,而實際上也和正常使用情況下電流流向一致,即P->N。
接下來,對於NPN型三極管,最基本的一個共射極放大電路如下:
基於上述的電路可以深入瞭解三極管爲什麼可以用於放大,爲什麼也可以用於開關。
首先,VBB和VCC是直流供電電源,大小不一定相等。△u1是交流信號。基極-發射極迴路稱爲輸入迴路,集電極-發射極迴路稱爲輸出迴路。迴路中的電流是直流和交流信號的疊加。Rc是負載。
其次,放大係數公式可以寫成(式中,約等於的誤差來自三極管中的壓降,此處不做詳細分析,可以參考模擬電路書籍)。放大係數中的電流Ic和Ib實際設計中可以在b極和c極用電阻進行控制,這樣便可以設計放大電路了。
再者,三極管工作狀態有三種:
- 放大狀態:發射結正向偏置,集電結反向偏置。正向偏置即電壓方向是P->N。
- 飽和狀態:發射結和集電結都正向偏置。
- 截止狀態:基極電流爲零。
最後,輸入特性曲線和輸出特性曲線分別描述了電壓電流關係。
- 當UCE確定時,集電結與發射結電壓確定,可以分析iB和uBE的關係。這就是輸入特性曲線,主要分析的是輸入迴路的電路。
- 當iB一定時,基極電流確定,可以分析集電極電流iC和管壓降UCE之間的關係。
2.放大電路
根據以上三種工作狀態,如果是設計放大電路,則工作狀態一定是放大狀態。而設計開關電路,則工作狀態在飽和狀態和截止狀態之間切換。放大電路的設計重點就在於如何讓三極管工作在放大狀態。
上文有提到放大係數是。放大狀態的條件是發射結正向偏置,集電結反向偏置。
- 首先如何保證發射結正偏集電結反偏?
答案就是三極管形成的直流回路要滿足:UCE≥0且UCB≥0且 UBE≥0。而這在模電當中稱爲設置靜態工作點(Quiescent)包含參數:IBQ、ICQ、UBEQ、UCEQ,而一般會把UBEQ當成已知量,硅管0.7V,鍺管0.2V。按照如下圖的模型,設置VCC>VBB即可實現:
- 設計時如何控制放大係數?
主要在於控制Ic和Ib的值,主要通過控制Rc和Rb1的值,由於供電電源在一個系統中通常只有一種等級的電壓,所以通過Rb2來控制基極的電流。常見應用如下:
關於三極管放大電路的分析設計,可以參考模電書籍,比如圖解法,等效電路分析法等。其他共基、共集放大電路:
將三類基本放大電路通過三類耦合方式(直接耦合、阻容耦合、變壓器耦合)就可以形成多級放大電路。而爲了減小溫度引起的半導體導電性問題,即溫漂問題,採用如下差分放大電路,運用雙邊共同變化的思路解決溫漂問題:
三、三極管的開關作用
1.開關作用的工作模式
根據上面提到的內容,三極管的開關作用是指飽和區和截止區的交換過程。而有一種特殊狀態是UBC=0,即集電極和發射極的電壓差爲0,這種狀態稱爲臨界飽和或臨界放大。對於開關作用的三極管一般可以設計成這種工作狀態。
2.開關電路的設計
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設計原理:
飽和區:發射結和集電結都正向偏置。
截止區:基極電流爲0。
結合上述的內容,只要滿足UBC=0即可。下圖中Rb=Rc,VBB=VCC,則形成了一個開關電路。數字電路中通過操作VBB的0和1狀態即可實現開關。
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針對NPN三極管
這種三極管作爲開關管,一般設計方式有兩種:
上述這種方式下,當I/O端的電壓等於VCC後,三極管導通;當I/O端電壓等於0後,三極管截止。但由於三極管PN結的壓降,以及負載R2和LED的壓降,會導致基極電流iB受到較大影響,可能會引起不能導通的現象,所以實際應用一般採用如下的一種方式:
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針對PNP三極管
PNP三極管的應用也有兩種模型:
和NPN的原理類似,此種情況下,當I/O電壓在0V時,三極管導通;當I/O電壓等於VCC時,三極管截止。但此時iB的值由發射極決定,所以如果負載R2和LED壓降過大,則iB很小,可能不能導通三極管。以下是日常設計中常用的方式:
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總體來說,一般在用三極管設計控制電路時,負載都與集電極一側相連。
四、低功耗和穩定性問題
1. 低功耗問題
在低功耗設計中,三極管控制電路會對電路產生一定影響。無論是NPN還是PNP,三極管本身PN結會有漏電流存在,在以上提到的模型中,當工作在截止狀態時,NPN中存在Ucb>0和Uce>0 ,PNP中存在Uec>0和Ubc>0,故會有漏電流存在。
2. 穩定性問題
在I/O控制基極電壓時,爲了穩定基極的電壓,一般會在NPN開關電路的設計中,在基極加下拉電阻;在PNP開關電路的設計中,在基極加上拉電阻。上拉下拉電阻根據控制芯片、三極管和電路電壓選擇10K,4.7K,1K等。如圖:
參考資料:《模擬電子技術基礎》