半導體存儲器SRAM是靠雙穩態存儲信息,而半導體存儲器DRAM則是靠電容存儲，半導體靜態存儲器SRAM的存儲原理是依靠雙穩態電路存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材料的存儲元,它可存儲一個二進制代碼.由若干個存儲元組成一個存儲單元,然後再由許多存儲單元組成一個存儲器,就用來存放程序和數據了.
按其功能可分爲:隨機存取存儲器(簡稱ram)和只讀存儲器(只讀ROM) RAM包括DRAM(動態隨機存取存儲器)和SRAM(靜態隨機存取存儲器),當關機或斷電時,其中的信息都會隨之丟失. DRAM主要用於主存(內存的主體部分),SRAM主要用於高速緩存存儲器.ROM 主要用於BIOS存儲器.按其製造工藝 可分爲:雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器.按其存儲原理可分爲:靜態和動態兩種.
SRAM是英文Static RAM的縮寫,它是一種具有靜止存取功能的內存,不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據 說具體點就是高速緩存或者說是二級緩存。SRAM靠寄存器來存儲信息,DRAM靠MOS管的柵電容上的電荷來存儲信息,需要進行週期性的刷新操作.
靜態ram是靠雙穩態觸發器來記憶信息的;動態RAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的.由於電容上的電荷會泄漏,需要定時給與補充,所以動態RAM需要設置刷新電路.但動態RAM比靜態RAM集成度高、功耗低,從而成本也低。