下面介紹關於切換MRAM技術
切換MRAM使用1個晶體管，1個MTJ單元來提供簡單的高密度存儲器。Everspin使用獲得專利的Toggle電池設計，可提供高可靠性。數據在溫度下20年始終是非易失性的。
在讀取期間，傳輸晶體管被激活，並且通過將單元的電阻與參考器件進行比較來讀取數據。在寫入期間，來自寫入線1和寫入線2的磁場會在兩條線的交點處寫入單元，但不會干擾任一條線上的其他單元。
MRAM產品採用一個晶體管，一個磁隧道結（MTJ）存儲單元作爲存儲元件。MTJ由固定的磁性層，薄的電介質隧道勢壘和自由磁性層組成。當對MTJ施加偏壓時，被磁性層自旋極化的電子將通過稱爲隧穿的過程穿過介質阻擋層。
當自由層的磁矩平行於固定層時，MTJ器件具有低電阻，而當自由層磁矩與固定層矩反平行時，MTJ器件具有高電阻。
MRAM是一種利用電子自旋的磁性提供非易失性而不會磨損的存儲器。MRAM將信息存儲在與硅電路集成的磁性材料中，從而在單個無限耐用的設備中提供SRAM的速度和Flash的非易失性。
MRAM器件旨在結合非易失性存儲器和RAM的最佳功能，爲越來越多的電子系統提供“即時接通”功能和斷電保護。