存儲器按其存儲介質特性主要分爲“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩大類。分別對應RAM和ROM。其中的“易失/非易失”是指存儲器斷電後，它存儲的數據內容是否會丟失的特性。
RAM：“易失性存儲器”
RAM 是“Random Access Memory”的縮寫，被譯爲隨機存儲器。 所謂―隨機存取，指的是當存儲器中的消息被讀取或寫入時，所需要的時間與這段信息所在的位置無關。
根據 RAM 的存儲機制，又分爲動態隨機存儲器 DRAM(Dynamic RAM)以及靜態隨機存儲器 SRAM(Static RAM)兩種。
1. 動態隨機存儲器 DRAM
動態隨機存儲器 DRAM 的存儲單元以電容的電荷來表示數據，有電荷代表 1，無電荷代表 0。但時間一長，代表 1 的電容會放電，代表 0 的電容會吸收電荷，因此它需要定期刷新操作，這就是“動態(Dynamic)”一詞所形容的特性。刷新操作會對電容進行檢查，若電量大於滿電量的 1/2，則認爲其代表 1，並把電容充滿電； 若電量小於 1/2，則認爲其代表 0，並把電容放電，藉此來保證數據的正確性。
根據 DRAM 的通訊方式，又分爲同步和異步兩種，這兩種方式根據通訊時是否需要使用時鐘信號來區分。有時鐘信號的同步通訊方式爲SDRAM
爲了進一步提高 SDRAM 的通訊速度，人們設計了 DDR SDRAM 存儲器(Double DataRate SDRAM)。它的存儲特性與 SDRAM 沒有區別，但 SDRAM 只在上升沿表示有效數據，在 1 個時鐘週期內，只能表示 1 個有數據；而 DDR SDRAM 在時鐘的上升沿及下降沿各表示一個數據，也就是說在 1 個時鐘週期內可以表示 2 數據，在時鐘頻率同樣的情況下，提高了一倍的速度。
2. 靜態隨機存儲器 SRAM
靜態隨機存儲器 SRAM 的存儲單元以鎖存器來存儲數據。這種電路結構不需要定時刷新充電，就能保持狀態(當然，如果斷電了，數據還是會丟失的)，所以這種存儲器被稱爲“靜態(Static)” RAM。同樣地， SRAM 根據其通訊方式也分爲同步(SSRAM)和異步 SRAM，相對來說，異步SDRAM 用得多。
ROM：“非易失性存儲器”
ROM 是“Read Only Memory”的縮寫，意爲只能讀的存儲器。由於技術的發展，後來設計出了可以方便寫入數據的 ROM，而這個“Read Only Memory”的名稱被沿用下來了，現在一般用於指代非易失性半導體存儲器。
1.MASK ROM
MASK(掩膜) ROM 就是正宗的“Read Only Memory”，存儲在它內部的數據是在出廠時使用特殊工藝固化的，生產後就不可修改，其主要優勢是大批量生產時成本低。當前在生產量大，數據不需要修改的場合，還有應用。
2. OTPROM
OTPROM(One Time Programable ROM)是一次可編程存儲器。這種存儲器出廠時內部並沒有資料，用戶可以使用專用的編程器將自己的資料寫入，但只能寫入一次，被寫入過後，它的內容也不可再修改。在 NXP 公司生產的控制器芯片中常使用 OTPROM 來存儲密鑰； STM32F767 系列的芯片內部也包含有一部分的 OTPROM 空間。
3. EPROM
EPROM(Erasable Programmable ROM)是可重複擦寫的存儲器，它解決了 PROM 芯片只能寫入一次的問題。這種存儲器使用紫外線照射芯片內部擦除數據，擦除和寫入都要專用的設備。現在這種存儲器基本淘汰，被 EEPROM 取代。
4. EEPROM
EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)是電可擦除存儲器。 EEPROM 可以重複擦寫，它的擦除和寫入都是直接使用電路控制，不需要再使用外部設備來擦寫。而且可以按字節爲單位修改數據，無需整個芯片擦除。現在主要使用的 ROM 芯片都是EEPROM。
5.FLASH
FLASH 存儲器又稱爲閃存，它也是可重複擦寫的儲器，部分書籍會把 FLASH 存儲器稱爲 FLASH ROM，但它的容量一般比 EEPROM 大得多，且在擦除時，一般以多個字節爲單位。如有的 FLASH 存儲器以 4096 個字節爲扇區，最小的擦除單位爲一個扇區。根據存儲單元電路的不同， FLASH 存儲器又分爲 NOR FLASH 和 NAND FLASHNOR 與 NAND 的共性是在數據寫入前都需要有擦除操作，而擦除操作一般是以“扇區/塊”爲單位的。而 NOR 與 NAND 特性的差別，主要是由於其內部“地址/數據線”是否分開導致的。
由於 NOR 的地址線和數據線分開，它可以按“字節”讀寫數據，符合 CPU 的指令譯碼執行要求，所以假如 NOR 上存儲了代碼指令， CPU 給NOR 一個地址， NOR 就能向CPU 返回一個數據讓 CPU 執行，中間不需要額外的處理操作。而由於 NAND 的數據和地址線共用，只能按“塊”來讀寫數據，假如 NAND 上存儲了代碼指令， CPU 給 NAND 地址後，它無法直接返回該地址的數據，所以不符合指令譯碼要求。
若代碼存儲在 NAND 上，可以把它先加載到 RAM 存儲器上，再由 CPU 執行。所以在功能上可以認爲 NOR 是一種斷電後數據不丟失的 RAM，但它的擦除單位與 RAM 有區別，且讀寫速度比 RAM 要慢得多。
由於兩種 FLASH 存儲器特性的差異， NOR FLASH 一般應用在代碼存儲的場合，如嵌入式控制器內部的程序存儲空間。而 NAND FLASH 一般應用在大數據量存儲的場合，包括 SD 卡、 U 盤以及固態硬盤等，都是 NAND FLASH 類型的。
個人簡單總結
1. RAM和ROM
根據斷電數據能否保存分爲RAM和ROM
2. RAM
RAM中根據是否需要刷新分爲SRAM和DRAM
DRAM中根據是否有同步時鐘分爲SDRAM和DRAM
SRAM中根據是否有同步時鐘分爲SSRAM和SRAM
3. ROM
ROM目前常用的是EPROM和FLASH
FLASH包括NAND FLASH和NOR FLASH
NAND FLASH和NOR FLASH的區別是地址線和數據線是否分開