STM32F05x移植GD32F1x0注意事項

提要：costdown

        前言：本以爲能很順利的移植，結果130這顆芯片雖然是M3的core，實際上外部PIN與GPIO等寄存器結構與M0一致，NVIC部分又與M3一致，簡言之，130即有M3的“基因”，也有M0的“基因”，主要這顆芯片是爲了與ST的M0芯片搶市場。由於剛上市，所以Library從ST M0的Library基礎稍作修改。寄存器名稱雖然不一樣，但是實際地址與功能是完全一樣。下面重點列出在移植過程中，我遇到的問題：

A0：在Keil中，Device選型：

A0：GD32f130c6應當選擇STM32F101C6/8，因爲該系列寄存器與GD130最接近。左圖爲100，右圖爲101，實際130的SPI包含I2SCFGR與I2SPR寄存器。

另外使用STLINK讀取的Device，如圖：

Q1、EXTI中斷無效？

A1:

RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_SYSCFG,ENABLE);
SYSCFG_EXTILineConfig(PWR_EXTI_PORT_SOURCE, PWR_EXTI_PIN_SOURCE);

其中在操作SYSCFG寄存器時，必須先使能SYSCFG的CLK，這個問題在M0上也是一樣的，但是我在移植過程中，忽略了這點。

導致花了一些時間才找到這個問題。找類似這種bug，兩方面着手，一用硬件仿真，看外設寄存器是否與預設一直；二設置完後直接串口打印出來。

Q2、NVIC配置部分需要增加下面兩句，M0無此配置，M3則有。

A2:

/* NVIC configuration for priority grouping */
NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2); 
/*定位中斷向量表*/
NVIC_SetVectorTable(NVIC_VectTab_FLASH, 0); 

另外中斷優先級配置因爲有組的概念，所以也有所不同，如;

STM32F051:

<span style="font-family: Arial, Helvetica, sans-serif;">NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPriority = 0x03;  //0x03,與IRRec保持一致</span>

GD130：

NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority = 1;
NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelSubPriority = 3;

Q3、EXTI在handler mode進入stop mode後不能喚醒，在thread mode中進入可以喚醒？

A3:

如果在Handler mode進入STOP mode，需要喚醒，則喚醒源的中斷優先級必須必進入stop mode的handler 優先級更高。否則同級或更低級的中斷無法喚醒，除非退出中斷。這也是在thread mode進入可以被喚醒的原因。如在timer2中進入stopmode，在exti按鍵喚醒。demo：

static void PWR_NVIC_Configuration(void)
{
	NVIC_InitTypeDef NVIC_InitStructure;
	
	/* Enable the EXTIx global Interrupt */
	NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannel = PWR_EXTI_IRQn;
	NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority = 1;
	NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelSubPriority = 3;
	NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelCmd = ENABLE;
	NVIC_Init(&NVIC_InitStructure);    
}


static void TIM2_NVIC_Configuration(void)
{ 
	NVIC_InitTypeDef NVIC_InitStructure;
	
	/* Enable the TIM global Interrupt */
	NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannel = KEY_TIM_IRQn;
	NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority = 2;
	NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelSubPriority = 3;
	NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelCmd = ENABLE;
	NVIC_Init(&NVIC_InitStructure);
}  

Q4:SPI寄存器區別：

A4：SPIx_CR1 Bit11，051中該bit(CRCL)是CRC length，130是FF16(FF16)是data frame formate；

         SPIx_CR2 bit15-bit8,130中高8位爲保留字節，051則有其他定義，如fifo觸發值與data size。因此130中沒有該庫函數：       

    SPI_RxFIFOThresholdConfig(LT8900SPI, SPI_RxFIFOThreshold_QF);  //8bitsize->QF,16bit->HF  

通訊庫函數區別：

M0:

/* Send byte through the SPI1 peripheral */
SPI_SendData8(LT8900SPI, *pu32Data);		
/* Wait to receive a byte */
while (SPI_I2S_GetFlagStatus(LT8900SPI, SPI_I2S_FLAG_RXNE) == RESET);
/* Return the byte read from the SPI bus */
return SPI_ReceiveData8(LT8900SPI);

GD130:

/* Send byte through the SPI1 peripheral */
SPI_I2S_SendData(LT8900SPI, *pu32Data);
/* Wait to receive a byte */
while (SPI_I2S_GetFlagStatus(LT8900SPI, SPI_I2S_FLAG_RXNE) == RESET);
/* Return the byte read from the SPI bus */
return SPI_I2S_ReceiveData(LT8900SPI);

Q5：使用HSE時，有效採樣數的區別：

A5:

ST
#define HSE_STARTUP_TIMEOUT   ((uint16_t)0x0500) /*!< Time out for HSE start up */
GD130：
#define HSE_STARTUP_TIMEOUT   ((uint16_t)0x5000) /*!< Time out for HSE start up */

Q6：中斷向量表區別，GD兼容051，但又涵蓋M3的中斷入口。另外051不支持自定義中斷入口偏移地址。

A6:

 /* 自動重定位中斷向量表 */
//	NVIC_SetVectorTable(NVIC_VectTab_FLASH, (BaseOfROM - NVIC_VectTab_FLASH)); 	 //CM0不支持該功能 	

Q7：GPIO區別：

A7:雖然130爲M3，但是GPIO部分與M0的寄存器結構完全一致。

Q8：Flash區別：

A8：雖然130爲M3，但是Flash部分與M0結構大概相同，包含對OB區域的讀寫與讀保護等級，多了一個燒斷功能，此時不能還原爲保護或無保護狀態。

        加讀保護功能與M0一致，在使用JLink Flash中使用去除讀保護是，device必須選擇STM32F101系列，否則去除保護功能無效。

        但有部分寄存器位有所不同，如：

    FLASH->ACR = FLASH_ACR_PRFTBE | FLASH_ACR_LATENCY; //M3不支持該設置

Q9:RCC區別：

A9：M0中只有APB總線給外設提供CLK，但是M3中分了兩組不同的CLK對應不同的外設，分別爲APB1，APB2。如下：

M0:

   uint32_t SYSCLK_Frequency;
   uint32_t HCLK_Frequency;
   uint32_t PCLK_Frequency;
   uint32_t ADCCLK_Frequency;/* PCLK = HCLK */
   

   RCC->CFGR |= (uint32_t)RCC_CFGR_PPRE_DIV1;

GD130：

  uint32_t SYSCLK_Frequency;  /*!< returns SYSCLK clock frequency expressed in Hz */
  uint32_t HCLK_Frequency;    /*!< returns HCLK clock frequency expressed in Hz */
  uint32_t PCLK1_Frequency;   /*!< returns PCLK1 clock frequency expressed in Hz */
  uint32_t PCLK2_Frequency;   /*!< returns PCLK2 clock frequency expressed in Hz */
  uint32_t ADCCLK_Frequency;  /*!< returns ADCCLK clock frequency expressed in Hz <span style="font-family: Arial, Helvetica, sans-serif;">  </span>

<span style="font-family: Arial, Helvetica, sans-serif;">
</span>

   /* PCLK2 = HCLK */
    RCC->CFGR |= (uint32_t)RCC_CFGR_PPRE2_DIV1;    
    /* PCLK1 = HCLK */
    RCC->CFGR |= (uint32_t)RCC_CFGR_PPRE1_DIV1;

Q10：ID讀取位置：

Flashsize位置不同,130與M3一致，但UID卻與M0一致。如：

M0：

#define rFlashSizeReg	(*((uint16_t *)(0x1ffff7cc)))
#define Stm32_UIDBase	(uint8_t *)(0x1ffff7ac)

GD130:

#define rFlashSizeReg	(*((uint16_t *)(0x1ffff7e0)))
#define Stm32_UIDBase	(uint8_t *)(0x1ffff7ac)

Q11：電源特性區別：

A11：

(1)工作電壓2.6-3.6V,待機時電流爲250uA;；
(2)由於mcu啓動功耗大於st，因此mcu穩壓電容驗證將1uF改爲47uF,解決上電瞬間電流過大，電源特性不穩定,電壓輸出被拉低至2V被強制關機問題;

如下圖：

（1）進入stopmode休眠後，sensorpwr關閉，中斷喚醒後啓動，下圖爲電源端與sensorpwr端電壓圖形。GD32端穩壓電容爲1uF。

           同樣由於上電瞬間電壓不穩導致無法啓動芯片，區別圖（3）。

（2）進入stopmode休眠後，sensorpwr關閉，中斷喚醒後啓動，下圖爲電源端與sensorpwr端電壓圖形。STM32端穩壓電容爲1uF。

3、GD130睡眠後被外部中斷喚醒的SensorPwr，SensorPwr端加47uF穩壓電容，可以正常啓動，但是睡眠後喚醒會出現電壓過低關機的現象。

（4）進入stopmode休眠後，sensorpwr關閉，中斷喚醒後啓動，下圖爲電源端與sensorpwr端電壓圖形。GD32端穩壓電容爲47uF，Sensor端爲1uF電容。

綜上，由於GD32啓動電壓較ST高0.6V，導致開機或休眠被喚醒瞬間電壓不穩導致關機，圖中多次啓動是因爲按鍵開關抖動導致多次觸發。

（5）待機功耗，如圖：