MOS管選型哪些參數最主要考慮的，有四個參數需要重點選型，方案商選型MOS管的時候，有什麼問題不懂或疑問的可以諮詢廠商工程師。
MOS管主要參數：
1、開啓電壓VT
開啓電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；
標準的N溝道MOS管，VT約爲3～6V；
通過工藝上的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V
2、直流輸入電阻RGS
即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
這一特性有時以流過柵極的柵流表示
MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω
3、漏源擊穿電壓BVDS
在VGS=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱爲漏源擊穿電壓BVDS
•ID劇增的原因有下列兩個方面：
（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿
（2）漏源極間的穿通擊穿
•有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會使漏區的耗盡層一直擴展到源區，使溝道長度爲零，即產生漏源間的穿通，穿通後，源區中的多數載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區，產生大的ID
4、柵源擊穿電壓BVGS
在增加柵源電壓過程中，使柵極電流IG由零開始劇增時的VGS，稱爲柵源擊穿電壓BVGS。