MOS選型
第一步：選用N溝道還是P溝道
低壓側開關選N-MOS，高壓側開關選P-MOS
根據電路要求選擇確定VDS，VDS要大於幹線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護，使MOS管不會失效。
第二步：確定額定電流
額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，設計人員必須確保所選的MOS管能承受這個額定電流，即使在系統產生尖峯電流時。
MOS管並不是理想的器件，因爲在導電過程中會有電能損耗，這稱之爲導通損耗。
MOS管在“導通”時就像一個可變電阻，由器件的RDS（ON）所確定，並隨溫度而顯著變化。
器件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）計算，由於導通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對MOS管施加的電壓VGS越高，RDS（ON）就會越小；反之RDS（ON）就會越高。
第三步：確定熱要求
器件的結溫等於最大環境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積（結溫=最大環境溫度+［熱阻×功率耗散］）。根據這個方程可解出系統的最大功率耗散，即按定義相等於I2×RDS（ON）。
第四步：決定開關性能
選擇MOS管的最後一步是決定MOS管的開關性能。影響開關性能的參數有很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產生開關損耗，因爲在每次開關時都要對它們充電。MOS管的開關速度因此被降低，器件效率也下降。
MOS管選型
KIA6N70S 5.8A 700V 5Ω
KIA6410A 15A 100V 0.09Ω
KIA100N03A 90A 30V 0.004Ω
KI50N06 50A 60V 0.023Ω
KIA2803 150A 30V 0.0028Ω
KIA840 8A 500V 0.09Ω
KIA4560 6A 600V 1.7Ω
KIA5N50 5A 500V 1.5Ω
KIA23P10 -23A -100V 0.95Ω
KIA35P10 -35A -100V 0.055Ω
KIA75NF75 80A 80V 0.009Ω
KIA2404A 190A 40V 0.0035Ω
KIA2806 160A 60V 0.0045Ω
KIA3506 70A 60V 0.008Ω
KIA3508 70A 80V 0.012Ω
KIA9N90 9A 900V 1.4Ω
KIA20N50 20A 500V 0.26Ω
KIA3306 80A 60V 0.008Ω
KIA4N60 4A 600V 2.7Ω
KIA18N50 18A 500V 0.32Ω
KIA10N65 10A 650V 0.75Ω
KIA20N40 20A 400V 0.25Ω
KIA2906 130A 60V 0.007Ω
KIA3103 110A 30V 0.0026Ω
KIA2300 6A 20V 0.03Ω
KIA2302 3A 20V 0.065Ω
KIA3400 4.8A 30V 0.035Ω
KIA3401 -4A -30V 0.06Ω
KIA3415 -4A -16V 0.045Ω
KIA4706 8A 60V 0.01Ω
KIA4810 9A 100V 0.02Ω
KIA7306 22A 60v 0.0055Ω
KIA65950 5A 650V 095Ω
KCP7610 20A 600V 0.19Ω
KCX3205 100A 500V 0.031Ω
KCX9860A 47A 600V 0.081Ω
KIA60R380 11A 600V 0.38Ω
KIA65R300 15A 650V 0.3Ω
KIA06065 6A 600V
KIA08065 8A 650V
KIA10065 10A 650V