在瞭解MOS管三個工作區之前，先了解一下MOS管三個工作區分別是什麼？下面講述MOS管場效應管的四個區域：
一、可變電阻區（也稱非飽和區）
二、恆流區（也稱飽和區、放大區、有源區）
三、夾斷區（也稱截止區）
四、擊穿區位
（1）可變電阻區（也稱非飽和區）
滿足Ucs》Ucs（th）（開啓電壓），uDs《UGs-Ucs（th），爲圖中預夾斷軌跡左邊的區域其溝道開啓。在該區域UDs值較小，溝道電阻基本上僅受UGs控制。當uGs一定時，ip與uDs成線性關係，該區域近似爲一組直線。這時場效管D、S間相當於一個受電壓UGS控制的可變電阻。
（2）恆流區（也稱飽和區、放大區、有源區）
滿足Ucs≥Ucs（h）且Ubs≥UcsUssth），爲圖中預夾斷軌跡右邊、但尚未擊穿的區域，在該區域內，當uGs一定時，ib幾乎不隨UDs而變化，呈恆流特性。i僅受UGs控制，這時場效應管D、S間相當於一個受電壓uGs控制的電流源。場效應管用於放大電路時，一般就工作在該區域，所以也稱爲放大區。
（3）夾斷區（也稱截止區）
夾斷區（也稱截止區）滿足ucs《Ues（th）爲圖中靠近橫軸的區域，其溝道被全部夾斷，稱爲全夾斷，io=0，管子不工作。
（4）擊穿區位
擊穿區位於圖中右邊的區域。隨着UDs的不斷增大，pn結因承受太大的反向電壓而擊穿，ip急劇增加。工作時應避免管子工作在擊穿區。
轉移特性曲線可以從輸出特性曲線。上用作圖的方法求得。例如在下圖（a）中作Ubs=6V的垂直線，將其與各條曲線的交點對應的i、Us值在ib- Uss 座標中連成曲線，即得到轉移性曲線，如圖下（b）所示。
（a）輸出特性 （b）轉移特性
MOS管線性區、完全導通區的電場和電流分佈
MOSFET的漏極導通特性如圖1所示，其工作特性有MOS管三個工作區：截止區、線性區和?完全導通區。其中，線性區也稱恆流區、飽和區、放大區;完全導通區也稱可變電阻區。
MOSFET的漏極導通特性
通常MOSFET工作於開關狀態，在截止區和完全導通區之間高頻切換，由於在切換過程中要經過線性區，因此產生開關損耗。對於熱插撥、負載開關、分立LDO的調整管等這一類的應用，MOSFET較長時間或一直在線性區工作，因此工作狀態不同。
功率MOSFET在完全導通區和線性區工作時候，都可以流過大的電流。理論上，功率MOSFET是單極型器件，N溝道的功率MOSFET，只有電子電流，沒有空穴電流，但是，這只是針對完全導通的時候;在線性區，還是會同時存在電子和空穴二種電流，如圖2、圖3和圖4分別所示，完全導通區和線性區工作時，電勢、空穴和電流線分佈圖。
MOS管在線性區工作時，器件同時承受高的電壓和高的電流時，會產生下面的問題：
1、內部的電場大，注入更多的空穴。
2、有效的溝道寬度比完全導通時小。
3、改變Vth和降低擊穿電壓。
4、Vth低，電流更容易傾向於局部的集中，形成熱點;負溫度係數特性進一步惡化局部熱點。
功率MOSFET工作在線性區時，器件承受高的電壓，耗盡層高壓偏置導致有效的體電荷減小;工作電壓越高，內部的電場越高，電離加強產生更多電子-空穴對，形成較大的空穴電流。特別是如果工藝不一致，局部區域達到臨界電場，會產生非常強的電離和更大的空穴電流，增加寄生三極管導通的風險。
MOS管的夾斷區和飽和區的區別是什麼
柵極電壓可以產生溝道，也可以使溝道消失——夾斷；而源-漏電壓也有可能使MOSFET的溝道夾斷（局部夾斷），則溝道夾斷的電壓對應有兩個電壓。一般，產生或者夾斷溝道的柵極電壓稱爲閾值電壓VT，而使溝道夾斷的源-漏電壓往往稱爲飽和電壓Vsat，因爲這時的源-漏電流最大、並飽和（即與源-漏電壓無關）。
（1） 耗盡型n-MOSFET：
耗盡型MOSFET在柵極電壓爲0時即存在溝道。當負柵電壓增大到使溝道夾斷（整個溝道均勻夾斷）時，這時的柵電壓就稱爲夾斷電壓Vp——耗盡型MOSFET的閾值電壓。
在VGS>Vp時，IDS=0，即爲截止狀態。
在VGS<Vp時，存在溝道，IDS≠0：若VDS較低，則爲線性導電狀態；若VDS= (Vp－VGS)時，則溝道在漏極端附近處夾斷（非整個溝道夾斷），漏極電流達到最大——飽和電流，這時的源-漏電壓就稱爲飽和電壓。飽和電壓也就是使溝道發生局部夾斷時的源-漏電壓。在VDS≥Vsat=(Vp－VGS)即爲MOSFET的飽和區。
（2）增強型n-MOSFET：
增強型MOSFET在柵極電壓爲0時即不存在溝道。當正柵電壓增大到出現溝道時，這時的柵極電壓特稱爲開啓電壓Vop——增強型MOSFET的閾值電壓。
在VGS<Vop時，沒有溝道，則IDS=0，即爲截止狀態。
在VGS>Vop時，存在溝道，IDS≠0：若VDS較低，則爲線性導電狀態；若VDS≥ (VGS－Vop)時，則溝道在漏極端附近處夾斷（非整個溝道夾斷），漏極電流達到最大、並飽和，MOSFET即進入飽和狀態。溝道開始夾斷時的源-漏電壓即爲飽和電壓Vsat= (VGS－Vop)。
（3）溝道夾斷以後的導電性：
場效應晶體管是依靠多數載流子在溝道中的導電來工作的。沒有溝道（柵極電壓小於閾值電壓時），即不導電——截止狀態。出現了溝道（柵極電壓大於閾值電壓時），即可導電；並且在源-漏電壓增大到使得溝道在漏極端夾斷以後，其電流達到最大——飽和電流，即導電性能更好。爲什麼集電區能夠很好地導電？
因爲溝道夾斷區實際上就是載流子被耗盡的區域，其中存在有沿着溝道方向的電場，所以只要有載流子到達夾斷區邊緣，就很容易被掃過夾斷區而到達漏極——輸出電流。可見，溝道夾斷區與BJT的反偏集電結的勢壘區類似，不但不起阻擋載流子的作用，而且還將有利於載流子的通過。因此，溝道夾斷以後，器件的輸出電流飽和，即達到最大。
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