酷MOS管的選型 （超結場效應管）
*一、酷MOS管選型*
1、一般我們選擇一顆MOS 大致看以下幾個參數 BV Id Rds Vth Qg Pd等。但是這幾個參數，只有Qg和Id是交流參數，其他都是靜態參數。而半導體這東西就是隨溫升變壞的。那動態參數，其實是變壞的。25度的電流是100A，也許125度的時候，電流只有50A，所以選型的時候要以高溫下(老化房)的數據爲準。那選好了電壓、電流，剩下就是看Coolmos的損耗了。Coolmos露在表面的是Rdson 較低，只有平面管的1/3或者1/4，那MOS的導通損耗必然較之平面管要低不少。MOS的另外一個損耗，開關損耗其實往往更加佔主導。開關損耗在MOS裏最直接體現的數值是Trr。這也是Coolmos最核心的參數。
從coolmos的發展來看 C3 C6 CP CFD CFD2 都是在Trr上下功夫(C6除外，他是C3的Cost down)。你是電源設計者，Trr的合理使用，你比我清楚。Coolmos在實際應用中，MOS前段的Rg驅動，一般對電阻要求會低很多。這也能降低損耗。舉個例子，20N60C3 MOS前段的驅動電阻一般可做到15mohm以下，但是也不是越低越好，開關越高，EMI的問題就出來了。所以驅動電阻的選擇要綜合考慮，在EMI允許的情況下，儘量降低驅動電阻。
2、Coolmos是否需要採用散熱措施。要看功率，舉個例子，150W的LED電源上，你覺得可以不加散熱嘛?15W的LED電源上，加散熱裝置，那有地方麼?Coolmos，在應用端，解決了有的電源方案需要電子器件更小的體積，甚至是去掉散熱片(如Iphone的充電器)，而大功率上看重Coolmos的還是他能降低損耗，所以散熱片是一定要加的。
3、Coolmos目前在國內應用還是非常片面的，任重而道遠。舉個例子，在一個70W的筆記本適配器上，很多還是用的20A的平面管(或者是16A)，但是我們知道實際電路里的有效電流其實很小，用20A只是看重他的低內阻，降低損耗，降低溫升。那現在很多工程師來Rreview這個方案的時候，腦子還是轉不過彎來。如果使用Coolmos，他認爲還需要16A的，那同等電流，價格肯定不可比的。其實呢，Coolmos 10A足夠去替代了。開關損耗，Coolmos要較平面管低很多，內阻的話Coolmos的10A較之16A的平面也不會高多少，在高溫下，基本內阻是一致的。(有機會發個實驗數據，16A的平面管和10A的Coolmos在100度下，內阻是相差不多的—前提，帶負載，體現開關損耗低的特點)，所以工程師要多瞭解Coolmos。
二、酷MOS管（超結場效應管）產品特徵
1、卓越的功率轉換效率
2、極低的導通損耗源於極低的特徵導通電阻（RonA）
3、極低的開關功率損耗和驅動功率損耗源於極低的FOM(RONQg)
4、卓越的EAS能力（100%EAS測試）
三、酷MOS管(超結場效應管)產品應用
1、電腦、服務器的電源——更低的功率損耗
2、適配器（筆記本電腦，打印機等）——更輕、更便捷
3、照明（HID燈，工業照明，道路照明等）——更高的功率轉換效率
4、消費類電子產品（液晶電視，等離子電視等）——更輕、更薄、更高能效
在中壓MOS(100-150V)，英飛凌、ST、AO、FC均有超低導通電阻、超低損耗的MOS出現，如Opti3MOS(艾默生、華爲都有大量使用，是未來的主導)、SDMOS等。
總之一句話：MOS在發展，損耗會越來越低。電源方案只會像更高效率和更小體積發展。
Coolmos的宗旨是追求：開關最低損耗。在Coolmos上，是通過P柱，形成更大的PN結，從而降低Rds。但是就如同你講的，Coolmos，降低了Rds，所以他的EAS能力較之平面管要低，這也對電源設計者提出了更高的要求。但是我們都知道，能用得起Coolmos的電源，基本稱之爲高檔電源，那方案的設計肯定是精益求精的。不是普桑上裝了個上萬的音響，而是寶馬上都是原裝配置。這就是差距。
四、酷MOS管型號
KCB6265A 11A/650V TO-263
KCD4560 6A/600V TO-252
KCF6265A 11A/650V TO-220F
KCF9860A 47A/600V TO-220F
KCM3560A 76A/600V TO-247
KCM3650A 60A/500V TO-247
KCM9860A 47A/600V TO-247
KCY3104S 110A/40V DFN5*6
KCY3303S 95A/30V DFN5*6
只先列出一小部分的型號，小編就不一一列出來，有什麼需求可直接聯繫！
深圳市可易亞半導體科技有限公司主要產品生產MOS管，及有新型超結MOS管，爲了滿足更多客戶的需求，提供了更好的服務及有技術支持。扣扣：2880195519