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一、分類
場效應管分爲結型（JFET）和金屬-氧化物-半導體型（MOSFET）兩種類型，MOSFET應用廣泛，結型管（JFET）幾乎不用，MOSFET一般稱MOS管。
MOSFET有增強型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩大類，增強型和耗盡型每一類下面都有NMOS和PMOS。一般主板上使用最多的是增強型的MOS管，NMOS最多，一般用在信號控制方面；其次是PMOS，PMOS用在電源開關等方面，耗盡型幾乎不用。
場效應管分類
二、區分
箭頭指向G極的爲NMOS；箭頭背向G極的爲PMOS；
NMOS和PMOS區分
三、寄生二極管
寄生二極管有的也叫體二極管。
NMOS寄生二極管由S極→D極，PMOS的寄生二極管由D極→S極。
寄生二極管和普通二極管一樣，正接會導通，反接會截止。所以對於NMOS，當S極接正，D極接負，寄生二極管會導通，反之，截止；對於PMOS管，當D極接正，S極接負，寄生二極管導通，反之，截止。
當滿足MOS管的導通條件時，MOS管的D極和S極會導通，因爲MOS管的導通內阻極小，一般mΩ級別，1A級別的電流，也才mV級別，所以D極和S極之間的導通壓降很小，不足以使寄生二極管導通，這點需要特別注意。
寄生二極管方向
四、導通條件
NMOS管導通條件：
，即G極和S極的壓差大於一定值，MOS管會導通，但是也不能大太多，否則燒壞MOS管，開啓電壓和其他參數可以看具體器件的SPEC
PMOS管導通條件：
，即S極和G極的壓差大於一定值，MOS管會導通，同樣的，具體參數看器件的SPEC
五、基本開關電路
1. NMOS管開關電路
MOS管截止狀態，OUT通過R1上拉到5V，OUT=5V；
當GPIO_CTRL電壓大於MOS管開啓電壓時，MOS管導通，D極電壓等於S極電壓，OUT=0V；
NMOS基本開關電路
2. PMOS管開關電路
PMOS最常用在電源開關中，下圖，當GPIO_CRTL=0V時，S和G極壓差大於MOS管開啓電壓時，MOS管導通，5V_VOUT=5V_VIN；
PMOS基本開關電路
六、與三極管比較
- 三極管是電流控制，MOS管是電壓控制，只容許從信號源取少量電流的情況下，選用MOS管；在信號電壓較低，有容許從信號源取較多電流的條件下，選用三極管。
- MOS管是單極性器件（靠一種多數載流子導電），三極管是雙極性器件（既有多數載流子，也要少數載流子導電）。
- 有些MOS管的源極和漏極可以互換運用，柵極也可正可負，靈活性比三極管好。
- MOS管應用普遍，可以在很小電流和很低電壓下工作。
- MOS管輸入阻抗大，低噪聲。
- MOS管較貴，三極管的損耗大。
- MOS管常用來作爲電源開關，以及大電流開關電路、高頻高速電路中，三極管常用來數字電路開關控制。
七、GS串聯電阻
- MOS管的輸入阻抗很大，容易受外界信號的干擾，只要少量的靜電，就會使G-S極間的等效電容兩端產生很高的電壓，如果不及時把這些靜電泄放掉，兩端的高壓就會使MOS管產生誤動作，甚至有可能擊穿G-S極；
- 提供偏置電壓。
八、G極串聯電阻
- 減緩從無窮大到；
- 防止震盪，一般單片機的I/O輸出口都會帶點雜散電感，在電壓突變的情況下，可能與柵極電容形成LC震盪，串聯電阻可以增大阻尼減小震盪效果；
- 減小柵極充電峯值電流。
十、米勒效應
1. 概述
MOS管的米勒效應是由於MOS管內部的米勒電容導致的。
當對MOS管的G極加電壓時，MOS管的開啓和關閉其實是對GS之間的電容進行充放電，當充電電壓達到開啓電壓時，MOS管會導通；MOS導通之後，電壓會下降，上升，此時MOS管趨近飽和，由於米勒效應，會持續一段時間不上升，這個不變的地方叫
米勒平臺，此時已經達到最大，還在繼續下降，等到米勒電容充滿電，會繼續升高，直到MOS管徹底導通，幾乎爲0。
可以看出，因爲米勒電容的作用，使MOS管開啓時間變慢，因爲MOS管的開通是一個從無到有的過程，D極和S極交疊的區域變大，MOS管損耗變大。
米勒平臺
2. 產生原因
我們知道在MOS導通前，D極電壓大於G極電壓，MOS管寄生電容Cgd儲存的電量需要在其導通時注入G極與其中的電荷中和，因爲MOS管完全導通後G極電壓是大於D極電壓的。
想了解更多關於米勒效應的內容，可以參考MOS管的米勒效應
永遠相信美好的事情即將發生！作者記得誠，寫於安徽合肥，時間2020-02-21 PM17:45