目錄
一、GaN器件概述
1、工作原理類似於MOSFET,在柵極和源極之間電壓超過開啓電壓的時候,加正壓電流正向流動,加反壓電流發現流動。若柵極和源極之間電壓小於開啓電壓,加正壓無正向電流,加反壓有反向電流但反向壓降較大(實驗測量GS66508B有驅動時反向壓降爲500mV,無驅動電壓時大於1V);比MOS開關速度更快;無體二極管
2、寄生參數模型
可以通過改變RG控制開關速度;典型值爲1.5V;最大額定值爲-20/+10V;
3、器件對比
4、反向導通特性
5、沒有反向恢復
二、器件的熱設計
1、溫度越高導通電阻越大,所以需要控制溫度來降低損耗
2、頂部散熱設計:散熱材料選擇——散熱安裝——散熱絕緣
3、底部散熱設計:
a、選擇是否利用鋁基板(熱阻可降低五倍,但是隻能單層板,且有寄生電感和電容)
b、不採用鋁基板,散熱通孔設計:直徑爲0.3mm,外圈爲0.64mm,不填充通孔;一般一個GaN器件需要64個以上的散熱孔
c、採用鋁基板
4、不同芯片的熱租不同;需要大功率的可考慮器件並聯
5、可以利用spice來仿真溫度變化過程
三、GaN器件的測量注意
1、由於開關速度高,測量方法不對會引入寄生參數
2、示波器應該按照下圖來使用,避免長線干擾造成振鈴和過沖
2、電流測量方法
3、測量系統的帶寬一定要足夠
六、GaN的spice模型使用
1、GaN System提供了LTspice和Pspice模型,L3等級的模型可以進行熱仿真。在進行熱仿真的時候,只需要測量T1端的電壓即可得到溫度。對於GS66508B的仿真模型來說,TC連接電壓源可設置仿真溫度,TJ測量可以得到芯片溫度
2、導入Pspice模型到cadence中:
3、Pspice仿真設置:爲了更好的收斂,修改VNTOL到10uV,修改ABSTOL到1.0nA,步驟如下:
4、LTspice導入器件
九、GaN元件的PCB佈局
1、寄生電感會導致較高的過沖電壓、震盪和EMI問題
2、PCB LAYout步驟
步驟1:確定原理圖並確定每個關鍵電壓的構成
步驟2:根據設計優先級和電流方向放置組件
將組件儘可能近的放置——根據當前電流方向依次設計組件——如果在最小環所有迴路方面有衝突,參考上面的優先級
步驟3:以最佳方式連接組件,通過磁通消除技術減低寄生電感
十、EZDrive電路
十二、門極驅動電路設計
其他的驅動電路請見GN012技術文檔