以W25N01GV型號進行舉例介紹；
封裝
一般常見的有WSON和BGA封裝；
協議
走SPI協議，一般是4線模式（標準模式）：片選、時鐘、數據寫、數據讀；還有其他兩種模式：Dual/Quad SPI；
1、/CS；片選信號，低電平有效，在進行讀寫操作時需要把片選信號拉低；
2、DI, DO and IO0, IO1, IO2, IO3；數據傳輸線；
3、 /WP；寫保護，低有效，拉低時flash變爲只讀狀態，不能進行寫和擦除，還可配合保護寄存器裏面的值進行block的保護；
4、CLK；時鐘信號線，可設置時鐘；
結構
以華邦128MB spi nand爲例，1片裏面有1024個blocks，1個blocks裏面有64個pages，每個page裏面包含2048字節數據區和64字節OOB區；
由於此flash內部ECC糾錯能力是512Bx1，意思就是512字節數據可糾錯1個bit位，那麼2048字節數據就分位4個sector，每個sector單獨計算ECC校驗碼，對應關係如下：
每個block的壞塊標記一般是寫在第一個page的第一個OOB區的第一個字節，一般非0xFF爲壞塊標記，具體情況還是要參考datasheet；
讀寫
目前看到只有華邦spi nand支持連續讀功能，連續讀功能打開只需把寄存器裏面的BUF=0；普通讀需要每次讀數據之前發送讀命令和地址，而連續讀只需發一次命令和地址，後面會自動把下一個page數據準備好可直接讀取，提交了數據傳輸速度；
